FDS6294の技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDS6294技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDS6294仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11.3mOhm @ 13A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1205 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A (Ta) | |
| 基本製品番号 | FDS62 |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDS6294と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDS6294 | FDS6064N7 | FDS6294 | FDS5692Z |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 3W (Ta) | 3W (Ta) | 3W (Ta) | 2.5W (Ta) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11.3mOhm @ 13A, 10V | 3.5mOhm @ 23A, 4.5V | 11.3mOhm @ 13A, 10V | 24mOhm @ 5.8A, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±8V | ±20V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A (Ta) | 23A (Ta) | 13A (Ta) | 5.8A (Ta) |
| 基本製品番号 | FDS62 | FDS60 | FDS62 | FDS56 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 20 V | 30 V | 50 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 1.8V, 4.5V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | UltraFET™ |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SO FLMP | 8-SOIC | 8-SOIC |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 5 V | 98 nC @ 4.5 V | 14 nC @ 5 V | 25 nC @ 10 V |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1205 pF @ 15 V | 7191 pF @ 10 V | 1205 pF @ 15 V | 1025 pF @ 25 V |
FDS6064N7onsemiMOSFET N-CH 20V 23A 8SOFDS6298-NLVBSEMIFDS6294onsemiMOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
FDS6294_NLFairchild (onsemi)FDS5692ZonsemiMOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOICFDS6298Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDS6298 MOSFairchild (onsemi)FDS6294A-NLVBSEMIFDS6294-NLFairchild (onsemi)FDS6294 MOSFairchild (onsemi)FDS6162N7Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 20V 23A 8SOFDS6064N7Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 20V 23A 8SOFDS6298onsemiMOSFET N-CH 30V 13A 8SOICFDS5692ZFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOICFDS6298_NLFairchild (onsemi)FDS5692Z-NLFairchild (onsemi)FDS6288Fairchild (onsemi)FDS6162N7onsemiMOSFET N-CH 20V 23A 8SO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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