FDS3682の技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDS3682技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDS3682仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1300 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Ta) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDS3682と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDS3682 | FDS3680 | FDS3672 | FDS3692 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 6A, 10V | 46mOhm @ 5.2A, 10V | 23mOhm @ 7.5A, 10V | 60mOhm @ 4.5A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Ta) | 5.2A (Ta) | 7.5A (Ta) | 4.5A (Ta) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25 nC @ 10 V | 53 nC @ 10 V | 37 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1300 pF @ 25 V | 1735 pF @ 50 V | 2015 pF @ 25 V | 746 pF @ 25 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FDS3680onsemiMOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOICFDS3672Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7FDS3692 MOSFairchild (onsemi)FDS3692Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDS3682-NLFairchild (onsemi)FDS3672_NL MOSFairchild (onsemi)FDS3672 MOSFairchild (onsemi)FDS3672-NLFairchild (onsemi)FDS3682 MOSFairchild (onsemi)FDS3682_NLFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDS3670_NLFairchild (onsemi)FDS3692-NLFairchild (onsemi)
FDS3672_NLAMI Semiconductor/onsemiFDS3680 MOSFairchild (onsemi)FDS3682onsemiMOSFET N-CH 100V 6A 8SOICFDS3672onsemiMOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICFDS3690Fairchild (onsemi)FDS3692onsemiMOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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