FDP5800の技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDP5800技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDP5800仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6mOhm @ 80A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 242W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9160 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 145 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Ta), 80A (Tc) |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDP5800と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDP5800 | FDP5N50 | FDP5N50NZ | FDP6030BL |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Ta), 80A (Tc) | 5A (Tc) | 4.5A (Tc) | 40A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±25V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 145 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | 17 nC @ 5 V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6mOhm @ 80A, 10V | 1.4Ohm @ 2.5A, 10V | 1.5Ohm @ 2.25A, 10V | 18mOhm @ 20A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9160 pF @ 15 V | 640 pF @ 25 V | 440 pF @ 25 V | 1160 pF @ 15 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| シリーズ | PowerTrench® | UniFET™ | UniFET-II™ | PowerTrench® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 500 V | 500 V | 30 V |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| 電力消費（最大） | 242W (Tc) | 85W (Tc) | 78W (Tc) | 60W (Tc) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
FDP5N50onsemiMOSFET N-CH 500V 5A TO220-3FDP5N50NZonsemiMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3FDP6030BLonsemiMOSFET N-CH 30V 40A TO220-3FDP5N60NZonsemiMOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
FDP5645 MOSFairchild (onsemi)FDP5690onsemiMOSFET N-CH 60V 32A TO220-3FDP5690Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 32A TO220-3FDP6030BLFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDP5N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 5A TO220-3FDP5690 MOSFairchild (onsemi)FDP5645onsemiMOSFET N-CH 60V 80A TO220-3FDP5645Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 80A TO220-3FDP5800onsemiMOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3FDP55N06 MOSFairchild (onsemi)FDP5N60NZFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3FDP5680onsemiMOSFET N-CH 60V 40A TO220-3FDP5800 MOSFairchild (onsemi)FDP5680Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 40A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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