FDMS8662の技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDMS8662技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDMS8662仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2mOhm @ 28A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 83W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6420 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 28A (Ta), 49A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDMS8662と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDMS8662 | FDMS8670 | FDMS8660AS | FDMS8660S |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 28A (Ta), 49A (Tc) | 24A (Ta), 42A (Tc) | 28A (Ta), 49A (Tc) | 25A (Ta), 40A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6420 pF @ 15 V | 3940 pF @ 15 V | 5865 pF @ 15 V | 4345 pF @ 15 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2mOhm @ 28A, 10V | 2.6mOhm @ 24A, 10V | 2.1mOhm @ 28A, 10V | 2.4mOhm @ 25A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 1mA | 2V @ 250µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 100 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 83 nC @ 10 V | 113 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 83W (Tc) | 2.5W (Ta), 78W (Tc) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
FDMS8670Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 24A/42A 8PQFNFDMS8660ASFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFNFDMS8660SonsemiMOSFET N-CH 30V 25A/40A 8PQFNFDMS8670ASonsemiMOSFET N-CH 30V 23A/42A 8PQFNFDMS8670AS MOSFairchild (onsemi)FDMS8660S MOSFairchild (onsemi)FDMS8670S MOSFairchild (onsemi)FDMS8670ASFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 23A/42A 8PQFNFDMS86581-F085onsemiMOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8PQFNFDMS8670SonsemiPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FDMS8662onsemiMOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFNFDMS8670SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFNFDMS8661ASFairchild (onsemi)FDMS8660ASonsemiMOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFNFDMS8671SFairchild (onsemi)FDMS86540onsemiMOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFNFDMS8670onsemiMOSFET N-CH 30V 24A/42A 8PQFNFDMS86550onsemiMOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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