FDMS8095ACの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDMS8095AC技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDMS8095AC仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-MLP (5x6), Power56 | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 30mOhm @ 6.2A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 2.3W | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2020pF @ 75V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.2A, 1A | |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | |
| 基本製品番号 | FDMS8095 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDMS8095ACと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDMS8095AC | FDMS8090 | FDMS8095AC | FDMS8050ET30 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-MLP (5x6), Power56 | 8-MLP (5x6), Power56 | 8-MLP (5x6), Power56 | 8-PQFN (5x6) |
| 電力 - 最大 | 2.3W | 2.2W | 2.3W | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 30mOhm @ 6.2A, 10V | 13mOhm @ 10A, 10V | 30mOhm @ 6.2A, 10V | 0.65mOhm @ 55A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 750µA |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30nC @ 10V | 27nC @ 10V | 30nC @ 10V | 285 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2020pF @ 75V | 1800pF @ 50V | 2020pF @ 75V | 22610 pF @ 15 V |
| FET特長 | - | Logic Level Gate | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | - |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150V | 100V | 150V | 30 V |
| 基本製品番号 | FDMS8095 | FDMS80 | FDMS8095 | FDMS8050 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.2A, 1A | 10A | 6.2A, 1A | 55A (Ta), 423A (Tc) |
FDMS8050ET30onsemiMOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56FDMS8050onsemiMOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFNFDMS8090onsemiMOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
FDMS8333Fairchild (onsemi)FDMS8333LonsemiMOSFET N CH 40V 22A POWER 56FDMS8027SFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDMS8027S_F065Fairchild (onsemi)FDMS8460onsemiMOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFNFDMS8333L MOSFairchild (onsemi)FDMS8050ET30Fairchild SemiconductorN-Channel PowerTrench MOSFET 30VFDMS8320LonsemiMOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFNFDMS8027SonsemiMOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFNFDMS8320LDConsemiMOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56FDMS8027S MOSFairchild (onsemi)FDMS8320L MOSFairchild (onsemi)FDMS8095AConsemiMOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A PWR56FDMS8322 MOSFairchild (onsemi)FDMS808N1SCAMI Semiconductor/onsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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