FDMC86106LZの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDMC86106LZ技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDMC86106LZ仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-MLP (3.3x3.3) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 103mOhm @ 3.3A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.3W (Ta), 19W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 310 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDMC86 |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDMC86106LZと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDMC86106LZ | FDMC86102 | FDMC86139P | FDMC86102L |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | FDMC86 | FDMC86 | FDMC86139 | FDMC86102 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 310 pF @ 50 V | 965 pF @ 50 V | 1335 pF @ 50 V | 1330 pF @ 50 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) | 7A (Ta), 20A (Tc) | 4.4A (Ta), 15A (Tc) | 7A (Ta), 18A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 103mOhm @ 3.3A, 10V | 24mOhm @ 7A, 10V | 67mOhm @ 4.4A, 10V | 23mOhm @ 7A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.3W (Ta), 19W (Tc) | 2.3W (Ta), 41W (Tc) | 2.3W (Ta), 40W (Tc) | 2.3W (Ta), 41W (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | - | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-MLP (3.3x3.3) | Power33 | 8-MLP (3.3x3.3) | 8-MLP (3.3x3.3) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
FDMC86106ZAMI Semiconductor/onsemi
FDMC86106LZ MOSFairchild (onsemi)FDMC86102onsemiMOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33FDMC86139PonsemiMOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLPFDMC86102LonsemiMOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLPFDMC86160onsemiMOSFET N CH 100V 9A POWER33FDMC86116LZonsemiMOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLPFDMC86012onsemiMOSFET N-CH 30V 23A POWER33FDMC86160ETFairchild (onsemi)FDMC86102LZonsemiMOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLPFDMC8588DConsemiMOSFET N CH 25V 40A POWER33FDMC8588DCFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDMC86160 MOSFairchild (onsemi)FDMC8588 MOSFairchild (onsemi)FDMC8588AonsemiMOSFET N-CHFDMC86102ZFairchild (onsemi)FDMC86160ET100onsemiMOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33FDMC86183onsemiMOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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