FDMC7200Sの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDMC7200S技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDMC7200S仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-Power33 (3x3) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 22mOhm @ 6A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 700mW, 1W | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 660pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7A, 13A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | FDMC72 |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDMC7200Sと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDMC7200S | FDMC7208S | FDMC6890NZ | FDMC6890NZ |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 電力 - 最大 | 700mW, 1W | 800mW | 1.92W, 1.78W | 1.92W, 1.78W |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 20V | 20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-Power33 (3x3) | 8-Power33 (3x3) | MicroFET 3x3mm | MicroFET 3x3mm |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 22mOhm @ 6A, 10V | 9mOhm @ 12A, 10V | 68mOhm @ 4A, 4.5V | 68mOhm @ 4A, 4.5V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7A, 13A | 12A, 16A | 4A | 4A |
| 基本製品番号 | FDMC72 | FDMC7208 | FDMC6890 | FDMC6890 |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 660pF @ 15V | 1130pF @ 15V | 270pF @ 10V | 270pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10nC @ 10V | 18nC @ 10V | 3.4nC @ 4.5V | 3.4nC @ 4.5V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FDMC7208SonsemiMOSFET 2N-CH 30V 12A/16A PWR33FDMC6696PonsemiFDMC6696 - P-CHANNEL POWERTRENCHFDMC6683PZonsemiMOSFET P-CH 20V 40A 8MLPFDMC7570SonsemiMOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33FDMC6890NZonsemiMOSFET 2N-CH 20V 4A POWER33FDMC6686PonsemiMOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFNFDMC7570S MOSAMI Semiconductor/onsemiFDMC6890NZFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDMC7200S MOSFairchild (onsemi)FDMC7200SonsemiMOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8POWER33FDMC72086AMI Semiconductor/onsemiFDMC7200Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMC6688PonsemiMOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFNFDMC7572SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 25V 22.5A/40A PWR33FDMC7200onsemiMOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8POWER33FDMC7570SFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FDMC7200 MOSFairchild (onsemi)FDMC7202Fairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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