FDMA2002NZの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDMA2002NZ技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDMA2002NZ仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-MicroFET (2x2) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 123mOhm @ 2.9A, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 650mW | |
| パッケージ/ケース | 6-VDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 220pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.9A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | FDMA2002 |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDMA2002NZと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDMA2002NZ | FDMA3027PZ | FDMA1029PZ | FDMA2002NZ |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| パッケージ/ケース | 6-VDFN Exposed Pad | 6-VDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad | 6-VDFN Exposed Pad |
| 電力 - 最大 | 650mW | 700mW | 700mW | 650mW |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 123mOhm @ 2.9A, 4.5V | 87mOhm @ 3.3A, 10V | 95mOhm @ 3.1A, 4.5V | 123mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3nC @ 4.5V | 10nC @ 10V | 10nC @ 4.5V | 3nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 220pF @ 15V | 435pF @ 15V | 540pF @ 10V | 220pF @ 15V |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-MicroFET (2x2) | 6-MicroFET (2x2) | 6-WDFN (2x2) | 6-MicroFET (2x2) |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 基本製品番号 | FDMA2002 | FDMA3027 | FDMA1029 | FDMA2002 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.9A | 3.3A | 3.1A | 2.9A |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 20V | 30V |
FDMA1032CZ MOSFairchild (onsemi)FDMA3027PZFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMA1029PZonsemiMOSFET 2P-CH 20V 3.1A MICROFETFDMA291P MOSFairchild (onsemi)FDMA2002NZonsemiMOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFETFDMA291PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDMA291PonsemiMOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFETFDMA1029PZ MOSFairchild (onsemi)FDMA1028NZFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMA1028NZonsemiMOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFETFDMA1028NZ MOSFairchild (onsemi)
FDMA3028NonsemiMOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFETFDMA1032CZonsemiMOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2FDMA1027PZVBSEMIFDMA3027PZonsemiMOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFETFDMA2002NZ MOSFairchild (onsemi)FDMA291P.Fairchild (onsemi)FDMA3023PZonsemiMOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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