FDM3300NZの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDM3300NZ技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDM3300NZ仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Power33 | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 23mOhm @ 10A, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 900mW | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1610pF @ 10V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | FDM3300 |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDM3300NZと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDM3300NZ | FDM3300NZ | FDM2452NZ | FDM2509NZ |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| 電力 - 最大 | 900mW | 900mW | 800mW (Ta) | 800mW |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 20V | 30V | 20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | Power33 | Power33 | 6-MLP (2x5) | MicroFET 2x2 Thin |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 6-WFDFN Exposed Pad | 6-UDFN Exposed Pad |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 23mOhm @ 10A, 4.5V | 23mOhm @ 10A, 4.5V | 21mOhm @ 8.1A, 4.5V | 18mOhm @ 8.7A, 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17nC @ 4.5V | 17nC @ 4.5V | 19nC @ 4.5V | 17nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1610pF @ 10V | 1610pF @ 10V | 980pF @ 15V | 1200pF @ 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | FDM3300 | FDM3300 | FDM2452 | FDM2509 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A | 10A | 8.1A (Ta) | 8.7A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) |
FDM3300NZonsemiMOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFETFDM6296 MOSFairchild (onsemi)FDM3300NZ MOSFairchild (onsemi)FDM2452NZFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETFDMA0104Fairchild SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 20V 9.4A 6PINFDM3622Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDM3622NZFairchild (onsemi)FDM2509NZFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETFDM3622 MOSFairchild (onsemi)FDMA0104onsemiMOSFET N-CH 20V 9.4A 6MICROFET
FDM2509NZonsemiMOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLPFDM6296(30V/11.5A)Fairchild (onsemi)FDM606P-NLFairchild (onsemi)FDM3622onsemiMOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLPFDM0306SFairchild (onsemi)FDM606PonsemiMOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLPFDM606PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLPFDM6296onsemiMOSFET N-CH 30V 11.5A 8POWER33| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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