FDD4685_F085の技術仕様
Fairchild/ON Semiconductor - FDD4685_F085技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild/ON Semiconductor - FDD4685_F085仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 電圧 - テスト | 2380pF @ 20V | |
| 電圧 - ブレークダウン | D-PAK (TO-252AA) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 27 mOhm @ 8.4A, 10V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| RoHSステータス | Tube | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.4A (Ta), 32A (Tc) | |
| 偏光 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| 他の名前 | FDD4685_F085-5 | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | |
| 製造元の部品番号 | FDD4685_F085 | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 27nC @ 5V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3V @ 250µA | |
| FET特長 | P-Channel | |
| 拡張された説明 | P-Channel 40V 8.4A (Ta), 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | |
| 説明 | MOSFET P-CH 40V 32A DPAK | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40V | |
| 静電容量比 | 83W (Tc) |
右側の三つのパーツはFairchild/ON Semiconductor FDD4685_F085と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDD4685_F085 | FDD4685 | FDD5612 | FDD5353 |
| メーカー | Fairchild/ON Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| 拡張された説明 | P-Channel 40V 8.4A (Ta), 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 27 mOhm @ 8.4A, 10V | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| RoHSステータス | Tube | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3V @ 250µA | 27 nC @ 5 V | 11 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V |
| 電圧 - テスト | 2380pF @ 20V | - | - | - |
| 偏光 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.4A (Ta), 32A (Tc) | 27mOhm @ 8.4A, 10V | 55mOhm @ 5.4A, 10V | 12.3mOhm @ 10.7A, 10V |
| 説明 | MOSFET P-CH 40V 32A DPAK | - | - | - |
| 静電容量比 | 83W (Tc) | - | - | - |
| 他の名前 | FDD4685_F085-5 | - | - | - |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 製造元の部品番号 | FDD4685_F085 | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40V | 8.4A (Ta), 32A (Tc) | 5.4A (Ta) | 11.5A (Ta), 50A (Tc) |
| 電圧 - ブレークダウン | D-PAK (TO-252AA) | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | 40 V | 60 V | 60 V |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 27nC @ 5V | 2380 pF @ 20 V | 660 pF @ 30 V | 3215 pF @ 30 V |
| FET特長 | P-Channel | - | - | - |
FDD4685_F085 - Fairchild/ON SemiconductorのFDD4685_F085 PDFデータテーブルとFairchild/ON Semiconductorドキュメントをダウンロード
FDD4685onsemiMOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
FDD4243 MOSAMI Semiconductor/onsemiFDD5612Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDD5353onsemiMOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAKFDD4N60NZFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDD45AN06LA0onsemiMOSFET N-CH 60V 5.2A/25A TO252AAFDD5612onsemiMOSFET N-CH 60V 5.4A TO252-3FDD4685-F085P MOSAMI Semiconductor/onsemiFDD5353 MOSFairchild (onsemi)FDD4243Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FDD5612 MOSFairchild (onsemi)FDD4685 MOSFairchild (onsemi)FDD4N60NZonsemiMOSFET N-CH 600V 3.4A DPAKFDD4141_F085Fairchild (onsemi)FDD45AN06LAOFairchild (onsemi)FDD45AN06LAO MOSFairchild (onsemi)FDD4243onsemiMOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAKFDD4N60NZ MOSFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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