FDD3680の技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDD3680技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDD3680仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 46mOhm @ 6.1A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 68W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1735 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 53 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Ta) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDD3680と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDD3680 | FDD3706 | FDD3670 | FDD3706 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Ta) | 14.7A (Ta), 50A (Tc) | 34A (Ta) | 14.7A (Ta), 50A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 20 V | 100 V | 20 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 46mOhm @ 6.1A, 10V | 9mOhm @ 16.2A, 10V | 32mOhm @ 7.3A, 10V | 9mOhm @ 16.2A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±20V | ±12V | ±20V | ±12V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1735 pF @ 50 V | 1882 pF @ 10 V | 2490 pF @ 50 V | 1882 pF @ 10 V |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 電力消費（最大） | 68W (Ta) | 3.8W (Ta), 44W (Tc) | 3.8W (Ta), 83W (Tc) | 3.8W (Ta), 44W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | 2.5V, 10V | 6V, 10V | 2.5V, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 53 nC @ 10 V | 23 nC @ 4.5 V | 80 nC @ 10 V | 23 nC @ 4.5 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
FDD3672-F085ONsemiFDD3670 MOSFairchild (onsemi)FDD3672_F085Fairchild (onsemi)FDD3580 MOSFairchild (onsemi)FDD3680 MOSFairchild (onsemi)FDD3706onsemiMOSFET N-CH 20V 14.7A/50A DPAKFDD3670onsemiMOSFET N-CH 100V 34A TO252FDD3706Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDD3690onsemiMOSFET N-CH 100V 22A DPAKFDD3682onsemiMOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AAFDD3682_F085Fairchild (onsemi)FDD3682-F085ONsemiFDD3670Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDD3672onsemiMOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AAFDD3672 MOSFairchild (onsemi)FDD3682-NLVBSEMIFDD3690 MOSFairchild (onsemi)FDD3680onsemiMOSFET N-CH 100V 25A TO252| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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