FDB2532の技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDB2532技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDB2532仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK (TO-263) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 16mOhm @ 33A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 310W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5870 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 107 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Ta), 79A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDB253 |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDB2532と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDB2532 | FDB2570 | FDB20AN06A0 | FDB1D7N10CL7 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 700µA |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 16mOhm @ 33A, 10V | 80mOhm @ 11A, 10V | 20mOhm @ 45A, 10V | 1.65mOhm @ 100A, 15V |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Ta), 79A (Tc) | 22A (Ta) | 9A (Ta), 45A (Tc) | 268A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | 150 V | 60 V | 100 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) |
| 基本製品番号 | FDB253 | - | - | FDB1D7 |
| 電力消費（最大） | 310W (Tc) | 93W (Tc) | 90W (Tc) | 250W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | 6V, 10V | 10V | 6V, 15V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5870 pF @ 25 V | 1911 pF @ 75 V | 950 pF @ 25 V | 11600 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 107 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V | 163 nC @ 10 V |
FDB2570Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 150V 22A TO263ABFDB20AN06AO MOSFairchild (onsemi)FDB2532_F085Fairchild (onsemi)FDB2552 MOSFairchild (onsemi)FDB20AN06A0Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263ABFDB1D7N10CL7onsemiMOSFET N-CH 100V 268A D2PAKFDB24AN06LAOFairchild (onsemi)
FDB2552onsemiMOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263ABFDB24AN06LA0Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263ABFDB20AN06A0onsemiMOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263ABFDB2570onsemiMOSFET N-CH 150V 22A TO263ABFDB2572Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263ABFDB24AN06LA0onsemiMOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263ABFDB16AN08AO MOSFairchild (onsemi)FDB2532 MOSFairchild (onsemi)FDB20AN06A0 MOSFairchild (onsemi)FDB16AN08AOFairchild (onsemi)FDB2532onsemiMOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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