FCPF13N60NTの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FCPF13N60NT技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FCPF13N60NT仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F-3 | |
| シリーズ | SuperMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 258mOhm @ 6.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 33.8W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1765 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 39.5 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A (Tc) |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FCPF13N60NTと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FCPF13N60NT | FCPF165N65S3R0L | FCPF11N60T | FCPF16N60NT |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 39.5 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V | 52.3 nC @ 10 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 650 V | 600 V | 600 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F | TO-220F-3 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A (Tc) | 19A (Tc) | 11A (Tc) | 16A (Tc) |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4.5V @ 410µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | SuperMOS™ | SuperFET® III | SuperFET™ | SupreMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 258mOhm @ 6.5A, 10V | 165mOhm @ 9.5A, 10V | 380mOhm @ 5.5A, 10V | 199mOhm @ 8A, 10V |
| 電力消費（最大） | 33.8W (Tc) | 35W (Tc) | 36W (Tc) | 35.7W (Tc) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1765 pF @ 100 V | 1415 pF @ 400 V | 1490 pF @ 25 V | 2170 pF @ 100 V |
FCPF165N65S3R0LFairchild SemiconductorFCPF165N65S3R0L - POWER MOSFET,
FCPF1300N80AMI Semiconductor/onsemiFCPF11N60TFairchild Semiconductor11A, 600V, 0.38OHM, N-CHANNEL,FCPF16N60NTonsemiMOSFET N-CH 600V 16A TO220FFCPF11N60NTonsemiMOSFET N-CH 600V 10.8A TO220FFCPF165N65S3AMI Semiconductor/onsemiFCPF13N60FCSFCPF11N60TonsemiMOSFET N-CH 600V 11A TO220FFCPF150N65FonsemiMOSFET N-CH 650V 14.9A TO220FFCPF1300N80ZonsemiMOSFET N-CH 800V 4A TO220F
FCPF165N65S3L1onsemiMOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3FCPF125N65S3onsemiMOSFET N-CH 650V 24A TO220FFCPF16N60onsemiMOSFET N-CH 600V 16A TO220FFCPF13N60NTonsemiMOSFET N-CH 600V 13A TO220FFCPF11N65Fairchild SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 600V 11A 3PIN(FCPF16N60NTFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FCPF165N65S3R0LonsemiMOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3FCPF11N65onsemiMOSFET N-CH 650V 11A TO220F| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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