FCP104N60の技術仕様
Fairchild Semiconductor - FCP104N60技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FCP104N60仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | SuperFET® II | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 104mOhm @ 18.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 357W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4165 pF @ 380 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 82 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 37A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FCP104N60と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FCP104N60 | FCP104N60F | FCP104N60 | FCP099N60E |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 37A (Tc) | 37A (Tc) | 37A (Tc) | 37A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4165 pF @ 380 V | 6130 pF @ 25 V | 4165 pF @ 380 V | 3465 pF @ 380 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 82 nC @ 10 V | 145 nC @ 10 V | 82 nC @ 10 V | 114 nC @ 10 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | SuperFET® II | HiPerFET™, Polar™ | SuperFET® II | SuperFET® II |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 3.5V @ 250µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 104mOhm @ 18.5A, 10V | 104mOhm @ 18.5A, 10V | 104mOhm @ 18.5A, 10V | 99mOhm @ 18.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 357W (Tc) | 357W (Tc) | 357W (Tc) | 357W (Tc) |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Bulk |
FCP104N60FonsemiMOSFET N-CH 600V 37A TO220-3FCP104N60onsemiMOSFET N-CH 600V 37A TO220-3FCP11N60 MOSFairchild (onsemi)
FCP1206H103J-H2Cornell Dubilier Electronics (CDE)CAP FILM 10000PF 5% 50VDC 1206
FCP-102TDK CorporationIGBT ModuleFCP099N60EFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 37A TO220-3FCP099N60EonsemiMOSFET N-CH 600V 37A TO220-3FCP11N60NonsemiMOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3FCP099N65S3onsemiMOSFET N-CH 650V 30A TO220-3FCP11N60FonsemiMOSFET N-CH 600V 11A TO220-3FCP067N65S3onsemiMOSFET N-CH 650V 44A TO220FCP110N65FonsemiMOSFET N-CH 650V 35A TO220-3FCP11N60onsemiMOSFET N-CH 600V 11A TO220-3FCP11N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FCP11N60N MOSFairchild (onsemi)FCP-101TDK CorporationIGBT ModuleFCP11N60NFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FCP11N60F MOSFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。