EFC4C002NLTDGの技術仕様
Fairchild Semiconductor - EFC4C002NLTDG技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - EFC4C002NLTDG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 1mA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-WLCSP (6x2.5) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - | |
| 電力 - 最大 | 2.6W | |
| パッケージ/ケース | 8-XFBGA, WLCSP | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6200pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | |
| 基本製品番号 | EFC4C002 |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor EFC4C002NLTDGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | EFC4C002NLTDG | EFC6604R-TR | EFC4619R-TR | EFC6602R-A-TR |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - | - | - | - |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6200pF @ 15V | - | - | - |
| パッケージ/ケース | 8-XFBGA, WLCSP | 6-XFBGA | 4-XFBGA, FCBGA | 6-XFBGA, FCBGA |
| 基本製品番号 | EFC4C002 | EFC6604 | EFC4619 | EFC6602 |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 電力 - 最大 | 2.6W | 1.6W | 1.6W | 2W |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45nC @ 4.5V | 29nC @ 4.5V | 21.7nC @ 4.5V | 55nC @ 4.5V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 2.5V Drive | Logic Level Gate, 2.5V Drive | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 1mA | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-WLCSP (6x2.5) | 6-EFCP (1.9x1.46) | EFCP1616-4CE-022 | EFCP2718-6CE-020 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
EFC6604R-TRonsemiMOSFET 2N-CH 6EFCPEFC4619R-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCPEFC4624R-TRAMI Semiconductor/onsemiEFC4621RAMI Semiconductor/onsemiEFC6602R-A-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCPEFC4630R-TRonsemiINTEGRATED CIRCUITEFC4622R-W-NAMI Semiconductor/onsemi
EFC4618R-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCP1818EFC6601R-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCPEFC6605R-TRonsemiMOSFET 2N-CH 6EFCP
EFC4C002NLTDGTexas InstrumentsPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOREFC4626R-TRonsemiMOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4EFC4627R-A-TRonsemiMOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4EFC6605R-V-TRonsemiMOSFET N-CH DUAL 10A 24V 6XFLGAEFC6602R-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCPEFC4C002NLTDGonsemiMOSFET 2N-CH 8WLCSPEFC4623R-TRAMI Semiconductor/onsemiEFC4621R-TRonsemiMOSFET 2N-CH EFCP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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