2N5638の技術仕様
Fairchild Semiconductor - 2N5638技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - 2N5638仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Fairchild (onsemi) | |
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS) | 30 V | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 | |
シリーズ | - | |
抵抗 - RDS(ON) | 30 Ohms | |
電力 - 最大 | 350 mW | |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bulk | |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 10pF @ 12V (VGS) | |
FETタイプ | N-Channel | |
電流 - 電圧Vds(VGS = 0)@ドレイン(IDSS) | 50 mA @ 20 V |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor 2N5638と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | 2N5638 | 2N5638 | 2N5643 | 2N5663 |
メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | ASI | Microchip Technology |
抵抗 - RDS(ON) | 30 Ohms | 30 Ohms | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 | TO-92-3 | - | TO-5AA |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -65°C ~ 200°C (TJ) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 10pF @ 12V (VGS) | 10pF @ 12V (VGS) | - | - |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | - | - |
電力 - 最大 | 350 mW | 350 mW | - | 1 W |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
パッケージ | Bulk | Bulk | - | Bulk |
シリーズ | - | - | - | - |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
電流 - 電圧Vds(VGS = 0)@ドレイン(IDSS) | 50 mA @ 20 V | 50 mA @ 20 V | - | - |
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS) | 30 V | 30 V | - | - |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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