画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
EPC2012C - EPC
- メーカー 部品型番
- EPC2012C
- メーカー
- EPC
- Allelco 部品型番
- 32D-EPC2012C
- ECADモデル
- モデルの説明
- GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
- 詳細な説明
- パッケージ
- Die
- データシート
- EPC2012C.pdf
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 36892
EPC2012Cの技術仕様
EPC - EPC2012C技術仕様、属性、パラメーター、およびEPC - EPC2012C仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | EPC | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | +6V, -4V | |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die | |
| シリーズ | eGaN® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 3A, 5V | |
| 電力消費（最大） | - | |
| パッケージ/ケース | Die | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 140 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.3 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5A (Ta) | |
| 基本製品番号 | EPC20 |
右側の三つのパーツはEPC EPC2012Cと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | EPC2012C | EPC2039 | EPC2015 | EPC2024 |
| メーカー | EPC | EPC | EPC | EPC |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5A (Ta) | 6.8A (Ta) | 33A (Ta) | 90A (Ta) |
| パッケージ/ケース | Die | Die | Die | Die |
| 基本製品番号 | EPC20 | EPC20 | EPC20 | EPC20 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 2mA | 2.5V @ 9mA | 2.5V @ 19mA |
| シリーズ | eGaN® | eGaN® | eGaN® | eGaN® |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.3 nC @ 5 V | 2.4 nC @ 5 V | 11.6 nC @ 5 V | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die | Die | Die | Die |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 80 V | 40 V | 40 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 3A, 5V | 25mOhm @ 6A, 5V | 4mOhm @ 33A, 5V | 1.5mOhm @ 37A, 5V |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V | 5V | 5V | 5V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 140 pF @ 100 V | 210 pF @ 40 V | 1200 pF @ 20 V | 2100 pF @ 20 V |
| Vgs（最大） | +6V, -4V | +6V, -4V | +6V, -5V | +6V, -4V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | - | - | - | - |
EPC2012C - EPCのEPC2012C PDFデータテーブルとEPCドキュメントをダウンロード
EPC2039EPCGANFET N-CH 80V 6.8A DIE
EPC1LC20IntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCCEPC1LC20NIntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCCEPC2015EPCGANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINEEPC2024EPCGANFET NCH 40V 60A DIE
EPC1PC8IntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIPEPC2014CEPCGANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINEEPC2010CEPCGANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINEEPC2051EPCGANFET N-CH 100V 1.7A DIEEPC2038EPCGANFET N-CH 100V 500MA DIEEPC1LI20NIntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCCEPC2016CEPCGANFET N-CH 100V 18A DIEEPC1PI8NIntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIPEPC2036EPCGANFET N-CH 100V 1.7A DIEEPC2015CEPCGANFET N-CH 40V 53A DIEEPC1LI20IntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCCEPC2019EPCGANFET N-CH 200V 8.5A DIEEPC1PI8IntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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