BR5006Wの技術仕様
EIC SEMICONDUCTOR INC. - BR5006W技術仕様、属性、パラメーター、およびEIC SEMICONDUCTOR INC. - BR5006W仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
メーカー | EIC Semiconductor, Inc. | |
電圧 - ピーク逆(最大) | 600 V | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 25 A | |
技術 | Standard | |
サプライヤデバイスパッケージ | BR-50W | |
シリーズ | - | |
パッケージ/ケース | 4-Square, BR-50W |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
パッケージ | Bag | |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
ダイオードタイプ | Single Phase | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 600 V | |
電流 - 平均整流(イオ) | 50 A |
右側の三つのパーツはEIC SEMICONDUCTOR INC. BR5006Wと同様の仕様
製品属性 | ||||
---|---|---|---|---|
部品型番 | BR5006W | GBU810 | GBPC2510W | BU2510-E3/51 |
メーカー | EIC SEMICONDUCTOR INC. | SMC Diode Solutions | GeneSiC Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
サプライヤデバイスパッケージ | BR-50W | GBU | GBPC-W | isoCINK+™ BU |
パッケージ/ケース | 4-Square, BR-50W | 4-ESIP | 4-Square, GBPC-W | 4-SIP, BU |
シリーズ | - | - | - | - |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 600 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 25 A | 1.1 V @ 8 A | 1.1 V @ 12.5 A | 1.05 V @ 12.5 A |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ダイオードタイプ | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
パッケージ | Bag | Tube | Bulk | Bulk |
電流 - 平均整流(イオ) | 50 A | 8 A | 25 A | 3.5 A |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
電圧 - ピーク逆(最大) | 600 V | 1 kV | 1 kV | 1 kV |
BR5006W - EIC SEMICONDUCTOR INC.のBR5006W PDFデータテーブルとEIC SEMICONDUCTOR INC.ドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
---|---|---|
地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
---|---|
発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか? をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。