1N4756Aの技術仕様
EIC SEMICONDUCTOR INC. - 1N4756A技術仕様、属性、パラメーター、およびEIC SEMICONDUCTOR INC. - 1N4756A仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | EIC Semiconductor, Inc. | |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 47 V | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.2 V @ 200 mA | |
公差 | ±5% | |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-41 | |
シリーズ | - | |
電力 - 最大 | 1 W |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | DO-204AL, DO-41, Axial | |
パッケージ | Bag | |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
インピーダンス(最大)(ZZT) | 80 Ohms | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 35.8 V |
右側の三つのパーツはEIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4756Aと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | 1N4756A | 1N4755A | 1N4756A | 1N4755A-TAP |
メーカー | EIC SEMICONDUCTOR INC. | onsemi | NTE Electronics, Inc | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.2 V @ 200 mA | - | - | 1.2 V @ 200 mA |
シリーズ | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
インピーダンス(最大)(ZZT) | 80 Ohms | 70 Ohms | 80 Ohms | 70 Ohms |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 47 V | 43 V | 47 V | 43 V |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-41 | DO-41 | Axial | DO-204AL (DO-41) |
パッケージ | Bag | Bulk | Bag | Tape & Box (TB) |
公差 | ±5% | ±5% | ±0.5% | ±5% |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 20°C | 175°C (TJ) |
パッケージ/ケース | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
電力 - 最大 | 1 W | 1 W | 1 W | 1.3 W |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 35.8 V | 5 µA @ 32.7 V | 5 µA @ 35.8 V | 5 µA @ 32.7 V |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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