GBU6Mの技術仕様
Diotec Semiconductor - GBU6M技術仕様、属性、パラメーター、およびDiotec Semiconductor - GBU6M仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diotec Semiconductor | |
| 電圧 - ピーク逆（最大） | 1 kV | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 6 A | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | GBU | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | 4-SIP, GBU |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Box | |
| 運転温度 | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| ダイオードタイプ | Single Phase | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 1000 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 4.2 A |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | Not Applicable |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | |
| HTSUS | 8541.10.0000 |
右側の三つのパーツはDiotec Semiconductor GBU6Mと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | GBU6M | GBU801 | GBU6M | GBU6M |
| メーカー | Diotec Semiconductor | SMC Diode Solutions | onsemi | SURGE |
| 運転温度 | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電圧 - ピーク逆（最大） | 1 kV | 100 V | 1 kV | 1 kV |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 4.2 A | 8 A | 6 A | 6 A |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 6 A | 1.1 V @ 8 A | 1 V @ 6 A | 1 V @ 3 A |
| ダイオードタイプ | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ | Box | Tube | Tube | Bag |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V |
| パッケージ/ケース | 4-SIP, GBU | 4-ESIP | 4-SIP, GBU | 4-SIP, GBU |
| サプライヤデバイスパッケージ | GBU | GBU | GBU | GBU |
GBU6M - Diotec SemiconductorのGBU6M PDFデータテーブルとDiotec Semiconductorドキュメントをダウンロード
GBU6M_B0_10001-PECPANJITGBU6M_B0_100A2PANJITGBU801SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A GBUGBU6MonsemiBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
GBU6J-E3/72Electro-Films (EFI) / VishayGBU6MSURGE6A -1000V - GBU - BRIDGEGBU6MS_B0_10001PANJIT
GBU802Taiwan Semiconductor CorporationDIODE BRIDGE 8A 100V GBUGBU6M-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
GBU6MGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
GBU6K-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.8A GBU
GBU802Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A GBUGBU6J_B0_10001-PECPANJITGBU6K-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.8A GBUGBU801Taiwan Semiconductor CorporationDIODE BRIDGE 8A 50V GBUGBU6K-GWILLASGBU6KSPANJITGBU801Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A GBU| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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