1N5363Bの技術仕様
Diotec Semiconductor - 1N5363B技術仕様、属性、パラメーター、およびDiotec Semiconductor - 1N5363B仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Diotec Semiconductor | |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 30 V | |
公差 | ±5% | |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-201 | |
シリーズ | - | |
電力 - 最大 | 5 W |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | DO-201AA, DO-27, Axial | |
パッケージ | Strip | |
運転温度 | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
インピーダンス(最大)(ZZT) | 8 Ohms | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 0.5 nA @ 22.8 V |
右側の三つのパーツはDiotec Semiconductor 1N5363Bと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | 1N5363B | 1N5363B | 1N5364B | 1N5364B |
メーカー | Diotec Semiconductor | NTE Electronics, Inc | NTE Electronics, Inc | onsemi |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-201 | Axial | Axial | Axial |
パッケージ/ケース | DO-201AA, DO-27, Axial | T-18, Axial | T-18, Axial | T-18, Axial |
電力 - 最大 | 5 W | 5 W | 5 W | 5 W |
公差 | ±5% | ±5% | ±5% | ±5% |
運転温度 | -50°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
シリーズ | - | - | - | - |
パッケージ | Strip | Bag | Bag | Bulk |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
インピーダンス(最大)(ZZT) | 8 Ohms | 8 Ohms | 10 Ohms | 10 Ohms |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 30 V | 30 V | 33 V | 33 V |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 0.5 nA @ 22.8 V | 500 nA @ 22.8 V | 500 nA @ 25.1 V | 500 nA @ 25.1 V |
1N5363B - Diotec Semiconductorの1N5363B PDFデータテーブルとDiotec Semiconductorドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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