ZXMN3B04N8TAの技術仕様
Diodes Incorporated - ZXMN3B04N8TA技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - ZXMN3B04N8TA仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 700mV @ 250µA (Min) | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25mOhm @ 7.2A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2480 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23.1 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.2A (Ta) | |
| 基本製品番号 | ZXMN3 |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated ZXMN3B04N8TAと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | ZXMN3B04N8TA | ZXMN3A14FQTA | ZXMN3B04N8TC | ZXMN3F30FHTA |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | ZXMN3 | ZXMN3 | ZXMN3 | ZXMN3 |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | 1.5W (Ta) | 2W (Ta) | 950mW (Ta) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±12V | ±20V | ±12V | ±20V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | SOT-23-3 | 8-SO | SOT-23-3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2480 pF @ 15 V | 448 pF @ 15 V | 2480 pF @ 15 V | 318 pF @ 15 V |
| シリーズ | - | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23.1 nC @ 4.5 V | 8.6 nC @ 10 V | 23.1 nC @ 4.5 V | 7.7 nC @ 10 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 700mV @ 250µA (Min) | 2.2V @ 250µA | 700mV @ 250µA (Min) | 3V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25mOhm @ 7.2A, 4.5V | 65mOhm @ 3.2A, 10V | 25mOhm @ 7.2A, 4.5V | 47mOhm @ 3.2A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.2A (Ta) | 3.9A (Ta) | 7.2A (Ta) | 3.8A (Ta) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ZXMN3B04N8TA - Diodes IncorporatedのZXMN3B04N8TA PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
ZXMN3F318DN8TADiodes Incorporated
ZXMN3AM832TADiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLPZXMN3A14FQTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3ZXMN3B04N8HAMOSZXMN3B04N8TCDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOZXMN3F30FHTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3ZXMN3F30FHTA MOSDiodes IncorporatedZXMN3A14FDiodes IncorporatedZXMN3B01FTA MOSZETEXZXMN3B14FTA MOSDiodes IncorporatedZXMN3B04N8TA MOSZETEXZXMN3A14FTA MOSDiodes IncorporatedZXMN3A14FTCVBSEMIZXMN3A14FTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3ZXMN3A06DN8TCDiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOICZXMN3B01FTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3ZXMN3B14FTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3ZXMN3F30FH-7Diodes Incorporated| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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