ZXMN2B03E6TAの技術仕様
Diodes Incorporated - ZXMN2B03E6TA技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - ZXMN2B03E6TA仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-6 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 4.3A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 1.1W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1160 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14.5 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.3A (Ta) | |
| 基本製品番号 | ZXMN2 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated ZXMN2B03E6TAと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | ZXMN2B03E6TA | ZXMN2A03E6TA | ZXMN2B14FHTA | ZXMN2AM832TA |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 電力消費（最大） | 1.1W (Ta) | 1.1W (Ta) | 1W (Ta) | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-23-3 | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| Vgs（最大） | ±8V | ±12V | ±8V | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.3A (Ta) | 3.7A (Ta) | 3.5A (Ta) | - |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 | SOT-23-6 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 4.3A, 4.5V | 55mOhm @ 7.2A, 4.5V | 55mOhm @ 3.5A, 4.5V | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | 20 V | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1160 pF @ 10 V | 837 pF @ 10 V | 872 pF @ 10 V | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 700mV @ 250µA (Min) | 1V @ 250µA | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| シリーズ | - | - | - | * |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | ZXMN2 | ZXMN2 | ZXMN2 | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14.5 nC @ 4.5 V | 8.2 nC @ 4.5 V | 11 nC @ 4.5 V | - |
ZXMN2B03E6TA - Diodes IncorporatedのZXMN2B03E6TA PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
ZXMN2A04DN8TADiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOICZXMN2A03E6TADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6ZXMN2F30FHTA MOSDiodes IncorporatedZXMN2F30FHQDiodes IncorporatedZXMN2B03E6TA MOSDiodes IncorporatedZXMN2B14FHTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3ZXMN2AM832TADiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
ZXMN2F34FHZETEXZXMN2B01FTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3ZXMN2A14FTA MOSZETEXZXMN2A03ZETEXZXMN2F30FHZETEXZXMN2A04DN8TCDiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOICZXMN2A14FTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3ZXMN2F30FHQTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3ZXMN2B01FTA MOSZETEXZXMN2F30FHTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3ZXMN2B14FHDiodes Incorporated| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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