ZXMN10B08E6TAの技術仕様
Diodes Incorporated - ZXMN10B08E6TA技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - ZXMN10B08E6TA仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-26 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 230mOhm @ 1.6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.1W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 497 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.2 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.3V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.6A (Ta) | |
| 基本製品番号 | ZXMN10 |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated ZXMN10B08E6TAと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | ZXMN10B08E6TA | ZXMN2A01E6TA | ZXMN2A01FTA | ZXMN10B08E6QTA |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.2 nC @ 10 V | 3 nC @ 4.5 V | 3 nC @ 4.5 V | 9.2 nC @ 10 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.6A (Ta) | 2.5A (Ta) | 1.9A (Ta) | 1.6A (Ta) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-26 | SOT-23-6 | SOT-23-3 | SOT-26 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.3V, 10V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 4.3V, 10V |
| 基本製品番号 | ZXMN10 | ZXMN2 | ZXMN2 | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±12V | ±12V | ±20V |
| 電力消費（最大） | 1.1W (Ta) | 1.1W (Ta) | 625mW (Ta) | 1.1W (Ta) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 700mV @ 250µA (Min) | 700mV @ 250µA (Min) | 3V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 | SOT-23-6 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-6 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 230mOhm @ 1.6A, 10V | 120mOhm @ 4A, 4.5V | 120mOhm @ 4A, 4.5V | 230mOhm @ 1.6A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 497 pF @ 50 V | 303 pF @ 15 V | 303 pF @ 15 V | 497 pF @ 50 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 20 V | 20 V | 100 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ZXMN10B08E6TA - Diodes IncorporatedのZXMN10B08E6TA PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
ZXMN15A27KTC MOSZETEXZXMN2A01E6TADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6ZXMN2A01FTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3ZXMN10B08E6QTADiodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
ZXMN10A11KTCDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2ZXMN2069FTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH SOT23-3ZXMN20B28KTCDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
ZXMN10A25KTC MOSDiodes IncorporatedZXMN2088DE6TADiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26ZXMN10A25KDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3ZXMN10A11KTC MOSZETEXZXMN15A27KZXTNZXMN10B08E6Diodes IncorporatedZXMN10A25GTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223ZXMN15A27KTCDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3ZXMN10A25GTA MOSDiodes IncorporatedZXMN10A25KTCDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3ZXMN10A11KDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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