ZXMD65P02N8TCの技術仕様
Diodes Incorporated - ZXMD65P02N8TC技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - ZXMD65P02N8TC仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 700mV @ 250µA (Min) | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 2.9A, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 1.75W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | - | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 960pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20nC @ 4.5V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A | |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | ZXMD65P02 |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated ZXMD65P02N8TCと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | ZXMD65P02N8TC | ZXMHC10A07N8TC | ZXMHC10A07T8TA | ZXMHC3F381N8TC |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 960pF @ 15V | 138pF @ 60V | 138pF @ 60V | 430pF @ 15V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | SM8 | 8-SO |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | ZXMD65P02 | ZXMHC10A07 | ZXMHC10 | ZXMHC3F381 |
| 運転温度 | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | Logic Level Gate |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 2.9A, 4.5V | 700mOhm @ 1.5A, 10V | 700mOhm @ 1.5A, 10V | 33mOhm @ 5A, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A | 800mA, 680mA | 1A, 800mA | 3.98A, 3.36A |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) | 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) | 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 700mV @ 250µA (Min) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | SOT-223-8 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 100V | 100V | 30V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電力 - 最大 | 1.75W | 870mW | 1.3W | 870mW |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20nC @ 4.5V | 2.9nC @ 10V | 2.9nC @ 10V | 9nC @ 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ZXMD65P02N8TC - Diodes IncorporatedのZXMD65P02N8TC PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
ZXMHC10A07N8TCDiodes IncorporatedMOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOICZXMD63C03XTA MOSZETEXZXMHC10A07T8TADiodes IncorporatedMOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8ZXMD65P03N8TCVBSEMIZXMD63N03XTA MOSDiodes IncorporatedZXMHC3F381N8TCDiodes IncorporatedMOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOICZXMD63N02XTADiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOPZXMD63N03XTADiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOPZXMD63N02XTCDiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOPZXMHC3F381N8TC MOSDiodes IncorporatedZXMD63N03XHAMOSZXMHC3A01N8TCDiodes IncorporatedMOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOICZXMD63P03XTA MOSDiodes IncorporatedZXMD63N02XTA MOSZETEXZXMHC3A01T8TADiodes IncorporatedMOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8ZXMD65P02N8ZETEXZXMD65P03N8TADiodes IncorporatedMOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOICZXMD63P03XTADiodes IncorporatedMOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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