ZXMC3AM832TAの技術仕様
Diodes Incorporated - ZXMC3AM832TA技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - ZXMC3AM832TA仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA (Min) | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-MLP (3x2) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 120mOhm @ 2.5A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1.7W | |
| パッケージ/ケース | 8-VDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | - | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 190pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.9nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.9A, 2.1A | |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | |
| 基本製品番号 | ZXMC3 |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated ZXMC3AM832TAと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | ZXMC3AM832TA | ZXMC4A16DN8TA | ZXMC3A16DN8TA | ZXMC3AMCTA |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 運転温度 | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | ZXMC3 | ZXMC4A16 | ZXMC3 | ZXMC3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 190pF @ 25V | 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V | 796pF @ 25V | 190pF @ 25V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.9A, 2.1A | 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) | 4.9A, 4.1A | 2.9A, 2.1A |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-MLP (3x2) | 8-SO | 8-SO | DFN3020B-8 |
| パッケージ/ケース | 8-VDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-WDFN Exposed Pad |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 40V | 30V | 30V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 120mOhm @ 2.5A, 10V | 50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V | 35mOhm @ 9A, 10V | 120mOhm @ 2.5A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA (Min) | 1V @ 250mA (Min) | 1V @ 250µA (Min) | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.9nC @ 10V | 17nC @ 10V | 17.5nC @ 10V | 3.9nC @ 10V |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | N and P-Channel Complementary | N and P-Channel | N and P-Channel |
| 電力 - 最大 | 1.7W | 2.1W | 1.25W | 1.7W |
| シリーズ | - | - | - | - |
ZXMC3AM832TA - Diodes IncorporatedのZXMC3AM832TA PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
ZXMC3A16DN8TA MOSDiodes IncorporatedZXMC3F31DN8HAMOSZXMC3A17DN8Diodes IncorporatedZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOICZXMC3F31DN8TCVBSEMIZXMC3A17DN8TA MOSDiodes IncorporatedZXMC3A16DN8TADiodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 30V 8SOICZXMC4559ZETEXZXMC3AMCTADiodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFNZXMC3F31DN8TADiodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SOZXMC3A18DN8TCVBSEMIZXMC3A17DN8TCDiodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 30V 8SOICZXMC3A16DN8TCDiodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 30V 8SOICZXMC4559DN8TCDiodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SOZXMC4559DN8TADiodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 60V 8SOICZXMC3A17DN8TADiodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 30V 8SOICZXMC3A18DN8TADiodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 30V 8-SOICZXMC3A18DN8Diodes Incorporated| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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