ZX3CD2S1M832TAの技術仕様
Diodes Incorporated - ZX3CD2S1M832TA技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - ZX3CD2S1M832TA仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 20V | |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 300mV @ 300mA, 3.5A | |
| トランジスタ型式 | PNP + Diode (Isolated) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-MLP (2x3) | |
| シリーズ | - | |
| 電力 - 最大 | 3W | |
| パッケージング | Cut Tape (CT) | |
| パッケージ/ケース | 8-VDFN Exposed Pad | |
| 他の名前 | ZX3CD2S1M832CT |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | |
| 周波数 - トランジション | 180MHz | |
| 詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor PNP + Diode (Isolated) 20V 3.5A 180MHz 3W Surface Mount 8-MLP (2x3) | |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 150 @ 2A, 2V | |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 25nA | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 3.5A | |
| ベース部品番号 | ZX3CD2S1M832 |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated ZX3CD2S1M832TAと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | ZX3CD2S1M832TA | BC856AMTF | BSP50E6327 | 2SC4571-T1-A |
| メーカー | Diodes Incorporated | onsemi | Infineon Technologies | Renesas Electronics America Inc |
| トランジスタ型式 | PNP + Diode (Isolated) | PNP | NPN - Darlington | - |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| 詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor PNP + Diode (Isolated) 20V 3.5A 180MHz 3W Surface Mount 8-MLP (2x3) | - | - | - |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 20V | 65 V | 45 V | - |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 150 @ 2A, 2V | 110 @ 2mA, 5V | 2000 @ 500mA, 10V | - |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-MLP (2x3) | SOT-23-3 | PG-SOT223-4 | - |
| ベース部品番号 | ZX3CD2S1M832 | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | * |
| パッケージ/ケース | 8-VDFN Exposed Pad | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-261-4, TO-261AA | - |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 25nA | 15nA (ICBO) | 10µA | - |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 300mV @ 300mA, 3.5A | 650mV @ 5mA, 100mA | 1.8V @ 1mA, 1A | - |
| パッケージング | Cut Tape (CT) | - | - | - |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 3.5A | 100 mA | 1 A | - |
| 電力 - 最大 | 3W | 310 mW | 1.5 W | - |
| 他の名前 | ZX3CD2S1M832CT | - | - | - |
| 周波数 - トランジション | 180MHz | 150MHz | 200MHz | - |
ZX3CD2S1M832TA - Diodes IncorporatedのZX3CD2S1M832TA PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
BC856AMTFonsemiTRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3BSP50E6327Infineon TechnologiesTRANS NPN DARL 45V 1A SOT223-4
ZX360D-B-10P(30)Hirose Electric Co LtdCONN RCPT USB3.0 MICRO B SMD R/A2SC4571-T1-ARenesas Electronics America IncSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
AC857CQ-7Diodes IncorporatedTRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
2DB1713-13Diodes IncorporatedTRANS PNP 12V 3A SOT89-3ZX3303B6FZX
2SD2696T2LRohm SemiconductorTRANS NPN 30V 0.4A VMT32SA1774-QYangjie TechnologyTransistors - Bipolar (BJT) - Si
2SC3647S-TD-EonsemiTRANS NPN 100V 2A PCPPN3638ANTE Electronics, IncTRANS PNP 25V 0.8A TO92-3
MJD45H11TMFairchild SemiconductorTRANS PNP 80V 8A TO252-3FJX2907ATFonsemiTRANS PNP 60V 0.6A SC70ZX3CD3S1M832TADiodes IncorporatedTRANS PNP 40V 3A 8MLP
ZXTP07012EFFTADiodes IncorporatedTRANS PNP 12V 4A SOT23FZX3CDBS1M832TCZETEX
ZX3CD1S1M832TADiodes IncorporatedTRANS PNP 12V 4A 3X2MM 8MLP
FJAF6910TUonsemiTRANS NPN 800V 10A TO3PF| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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