DVR5V0W-7の技術仕様
Diodes Incorporated - DVR5V0W-7技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DVR5V0W-7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 18V | |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 500mV @ 30mA, 300mA | |
| トランジスタ型式 | NPN + Zener Diode (Isolated) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-363 | |
| シリーズ | - | |
| 電力 - 最大 | 200mW | |
| パッケージング | Original-Reel® | |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 他の名前 | DVR5V0W7 DVR5V0WDIDKR |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | |
| 周波数 - トランジション | 100MHz | |
| 詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN + Zener Diode (Isolated) 18V 1A 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363 | |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 150 @ 100mA, 1V | |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 1µA (ICBO) | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 1A | |
| ベース部品番号 | DVR5V0 |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DVR5V0W-7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DVR5V0W-7 | ZUMT717TA | MJE15030 | MJD122G |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | onsemi | onsemi |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SC-70, SOT-323 | TO-220-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| トランジスタ型式 | NPN + Zener Diode (Isolated) | PNP | NPN | NPN - Darlington |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 150 @ 100mA, 1V | 200 @ 500mA, 2V | 20 @ 4A, 2V | 1000 @ 4A, 4V |
| 周波数 - トランジション | 100MHz | 220MHz | 30MHz | 4MHz |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 1A | 1.25 A | 8 A | 8 A |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-363 | SOT-323 | TO-220 | DPAK |
| ベース部品番号 | DVR5V0 | - | - | - |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 18V | 12 V | 150 V | 100 V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 1µA (ICBO) | 10nA | 100µA | 10µA |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 500mV @ 30mA, 300mA | 240mV @ 100mA, 1.25A | 500mV @ 100mA, 1A | 4V @ 80mA, 8A |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| パッケージング | Original-Reel® | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN + Zener Diode (Isolated) 18V 1A 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363 | - | - | - |
| 電力 - 最大 | 200mW | 500 mW | 50 W | 20 W |
| 他の名前 | DVR5V0W7 DVR5V0WDIDKR |
- | - | - |
DVR5V0W-7 - Diodes IncorporatedのDVR5V0W-7 PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
ZUMT717TADiodes IncorporatedTRANS PNP 12V 1.25A SOT323MJE15030onsemiTRANS NPN 150V 8A TO220
DVRN6056-7-F-GDiodes IncorporatedDVRN6056-7-GDiodes IncorporatedMJD122GonsemiTRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
MPSW51onsemiTRANS PNP GP BIPO 1W 30V TO-92
BC846BDiotec SemiconductorBJT SOT-23 65V 100MANJVMJD31CGonsemiTRANS NPN 100V 3A DPAK
TIP110STMicroelectronicsTRANS NPN DARL 60V 2A TO220
2SD1624S-TD-EonsemiTRANS NPN 50V 3A PCP
ZTX718Diodes IncorporatedTRANS PNP 20V 2.5A E-LINE
2N6247Microchip TechnologyPOWER BJTBCX70KonsemiTRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
MMBT4400Fairchild SemiconductorTRANS NPN 40V 0.6A SOT23
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsTRANS PNP 100V 3A DPAK
2STF2550STMicroelectronicsTRANS PNP 50V 5A SOT89-3DVR3V3W-7Diodes IncorporatedTRANS NPN 18V 1A SOT363
DVRN6056-7-FDiodes IncorporatedTRANS NPN 40V 0.6A SOT26| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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