DMTH10H017LPDQ-13の技術仕様
Diodes Incorporated - DMTH10H017LPDQ-13技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DMTH10H017LPDQ-13仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI5060-8 (Type E) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 17.4mOhm @ 17A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1.5W (Ta), 93W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1986pF @ 50V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 28.6nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A (Ta), 59A (Tc) | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | DMTH10 |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DMTH10H017LPDQ-13と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DMTH10H017LPDQ-13 | DMT6018LDR-7 | DMTARD07 | DMT69M8LFV-7 |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | NA | Diodes Incorporated |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | - | 3V @ 250µA |
| 基本製品番号 | DMTH10 | DMT6018 | - | DMT69 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 17.4mOhm @ 17A, 10V | 17mOhm @ 8.2A, 10V | - | 9.5mOhm @ 13.5A, 10V |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI5060-8 (Type E) | V-DFN3030-8 | - | PowerDI3333-8 (Type UX) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 28.6nC @ 10V | 13.9nC @ 10V | - | 33.5 nC @ 10 V |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - | - |
| 電力 - 最大 | 1.5W (Ta), 93W (Tc) | 1.9W | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V | 60V | - | 60 V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerVDFN | - | 8-PowerVDFN |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A (Ta), 59A (Tc) | 8.8A (Ta) | - | 45A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1986pF @ 50V | 869pF @ 30V | - | 1925 pF @ 30 V |
DMTH10H017LPDQ-13 - Diodes IncorporatedのDMTH10H017LPDQ-13 PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
DMTARD07NADMT69M8LFV-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333
DMTH3004LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252DMTH3004LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V PWRDI5060DMTH3004LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V PWRDI5060DMTH3002LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8DMT6017LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 9.2A 8SODMT6018LDR-7Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-
DMTH10H010LCTB-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 108A TO220ABDMTH4004LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 40V 100A TO252DMTH1005SPSQ-13Diodes IncorporatedDMTH3004LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333DMT6017LSSDiodes IncorporatedDMTH4004LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 40V PWRDI5060DMTH1005SPS-13Diodes Incorporated
DMT68M8LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SODMTH3004LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333DMT615MLFV-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V PWRDI3333| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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