DMT6016LFDF-7の技術仕様
Diodes Incorporated - DMT6016LFDF-7技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DMT6016LFDF-7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | U-DFN2020-6 (Type F) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 16mOhm @ 10A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 820mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 6-UDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 864 pF @ 30 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.9A (Ta) | |
| 基本製品番号 | DMT6016 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DMT6016LFDF-7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DMT6016LFDF-7 | DMT6015LSS-13 | DMT6017LFV-7 | DMT6015LFV-13 |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±16V | ±16V | ±16V |
| 電力消費（最大） | 820mW (Ta) | 1.5W (Ta) | 2.12W (Ta), 39.06W (Tc) | 2.2W (Ta), 30W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 65 V | 60 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 10 V | 18.9 nC @ 30 V | 15.3 nC @ 10 V | 18.9 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 864 pF @ 30 V | 1103 pF @ 30 V | 891 pF @ 30 V | 1103 pF @ 30 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 16mOhm @ 10A, 10V | 16mOhm @ 10A, 10V | 20mOhm @ 6A, 10V | 16mOhm @ 10A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.9A (Ta) | 9.2A (Ta) | 36A (Tc) | 9.5A (Ta), 35A (Tc) |
| 基本製品番号 | DMT6016 | DMT6015 | DMT6017 | DMT6015 |
| サプライヤデバイスパッケージ | U-DFN2020-6 (Type F) | 8-SO | PowerDI3333-8 (Type UX) | PowerDI3333-8 (Type UX) |
| パッケージ/ケース | 6-UDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
DMT6016LFDF-7 - Diodes IncorporatedのDMT6016LFDF-7 PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
DMT6016LSS-13 MOSDiodes IncorporatedDMT6017LDV-7Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI33DMT6015LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 9.2A 8SODMT6017LFV-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 65V 36A POWERDI3333DMT6015LFV-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V PWRDI3333DMT6016LSSDiodes IncorporatedDMT6015LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V PWRDI5060DMT6016LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060DMT6017LDV-13Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI33DMT6015LSSDiodes IncorporatedDMT6010LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060DMT6012LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 10.4A 8SODMT6010LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 14A 8SO T&R 2DMT6017LFV-13Diodes IncorporatedDMT6016LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 9.2A 8SODMT6013LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 10A 6UDFNDMT6012LFV-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333DMT6017LSSDiodes Incorporated| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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