DMP56D0UFB-7Bの技術仕様
Diodes Incorporated - DMP56D0UFB-7B技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DMP56D0UFB-7B仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | X1-DFN1006-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6Ohm @ 100mA, 4V | |
| 電力消費（最大） | 425mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 3-UFDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 50.54 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.58 nC @ 4 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 50 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | DMP56 |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DMP56D0UFB-7Bと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DMP56D0UFB-7B | DMP6023LE-13 | DMP57D5UFB-7 | DMP510DL-7 |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6Ohm @ 100mA, 4V | 28mOhm @ 5A, 10V | 6Ohm @ 100mA, 4V | 10Ohm @ 100mA, 5V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | DMP56 | DMP6023 | - | DMP510 |
| パッケージ/ケース | 3-UFDFN | TO-261-4, TO-261AA | 3-UFDFN | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 50.54 pF @ 25 V | 2569 pF @ 30 V | 29 pF @ 4 V | 24.6 pF @ 25 V |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.58 nC @ 4 V | 53.1 nC @ 10 V | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | X1-DFN1006-3 | SOT-223-3 | X1-DFN1006-3 | SOT-23-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±8V | ±20V | ±8V | ±30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA (Ta) | 7A (Ta), 18.2A (Tc) | 200mA (Ta) | 180mA (Ta) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 50 V | 60 V | 50 V | 50 V |
| 電力消費（最大） | 425mW (Ta) | 2W (Ta) | 425mW (Ta) | 310mW (Ta) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA | 2V @ 1mA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4V | 4.5V, 10V | 2.5V, 4V | 5V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
DMP56D0UFB-7B - Diodes IncorporatedのDMP56D0UFB-7B PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
DMP6023LE-13Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223DMP57D5UFB-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 50V 200MA 3DFNDMP510DL-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 50V 180MA SOT23
DMP57D5UV-7Diodes IncorporatedMOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563
DMP58D0LFB-7BDiodes IncorporatedMOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFNDMP4065S-7 MOSDiodes IncorporatedDMP45H150DHE-13Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 450V 250MA SOT223DMP4065S-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23
DMP45H4D9HK3-13Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 450V 4.7A TO252DMP58D0SV-7Diodes IncorporatedMOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT-563DMP45H21DHE-13Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 450V 600MA SOT223DMP4065SQ-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 T&RDMP58D0LFB-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 50V 180MA 3DFNDMP56D0UV-7Diodes IncorporatedMOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563DMP6023LEQ-13Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 60V 7A SOT223 T&RDMP56D0UFB-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 50V 200MA 3DFNDMP4051LK3Q-13 MOSDiodes IncorporatedDMP6023LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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