DMP1100UCB4-7の技術仕様
Diodes Incorporated - DMP1100UCB4-7技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DMP1100UCB4-7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 800mV @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | X2-WLB0808-4 | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 83mOhm @ 3A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 670mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 4-XFBGA, WLBGA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 820 pF @ 6 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.3V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Ta) | |
| 基本製品番号 | DMP1100 |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DMP1100UCB4-7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DMP1100UCB4-7 | DMP2003UPS-13 | DMP10H400SEQ-13 | DMP2002UPS-13 |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 4.5 V | 177 nC @ 10 V | 17.5 nC @ 10 V | 585 nC @ 10 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 83mOhm @ 3A, 4.5V | 2.2mOhm @ 25A, 10V | 250mOhm @ 5A, 10V | 1.9mOhm @ 25A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 820 pF @ 6 V | 8352 pF @ 10 V | 1239 pF @ 25 V | 12826 pF @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.3V, 4.5V | 2.5V, 10V | 4.5V, 10V | 2.5V, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | X2-WLB0808-4 | PowerDI5060-8 | SOT-223-3 | PowerDI5060-8 (Type K) |
| パッケージ/ケース | 4-XFBGA, WLBGA | 8-PowerTDFN | TO-261-4, TO-261AA | 8-PowerTDFN |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 800mV @ 250µA | 1.4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1.4V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 670mW (Ta) | 1.4W | 2W (Ta), 13.7W (Tc) | 2.3W (Ta) |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | 20 V | 100 V | 20 V |
| 基本製品番号 | DMP1100 | DMP2003 | DMP10 | DMP2002 |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs（最大） | ±8V | ±12V | ±20V | ±12V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Ta) | 150A (Tc) | 2.3A (Ta), 6A (Tc) | 60A (Tc) |
DMP1100UCB4-7 - Diodes IncorporatedのDMP1100UCB4-7 PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
DMP10H4D2SDiodes IncorporatedDMP2003UPS-13Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8DMP2003UPS MOSDiodes Incorporated
DMP10H400SK3VBSEMIDMP2003UPSDiodes IncorporatedDMP10H400SEQ-13Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223DMP2002UPS-13Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
DMP1555UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
DMP10H4D2S-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
DMP1200UFR4-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3DMP10H400SEDiodes IncorporatedDMP10H4D2S-7 MOSDiodes IncorporatedDMP1245UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616DMP10H400SEQDiodes Incorporated
DMP2004DMK-7Diodes IncorporatedMOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26
DMP10H400SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 100V 9A TO252-3DMP1100UCB4-7 MOSDiodes Incorporated| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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