DMNH10H028SPS-13の技術仕様
Diodes Incorporated - DMNH10H028SPS-13技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DMNH10H028SPS-13仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Diodes Incorporated | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI5060-8 | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 28mOhm @ 20A, 10V | |
電力消費(最大) | 1.6W (Ta) | |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2245 pF @ 50 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 40A (Tc) | |
基本製品番号 | DMNH10 |
属性 | 説明 |
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RoHS ステータス | |
湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
州に到達します | REACH Affected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DMNH10H028SPS-13と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | DMNH10H028SPS-13 | DMNH45M7SCT | DMN7022LFGQ-7 | DMN67D8L-7 |
メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
FET特長 | - | - | - | - |
電力消費(最大) | 1.6W (Ta) | 240W (Tc) | 2W (Ta) | 340mW (Ta) |
シリーズ | - | - | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI5060-8 | TO-220-3 | PowerDI3333-8 | SOT-23-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 40A (Tc) | 220A (Tc) | 23A (Tc) | 210mA (Ta) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 28mOhm @ 20A, 10V | 6mOhm @ 20A, 10V | 22mOhm @ 7.2A, 10V | 5Ohm @ 500mA, 10V |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | 10V | 4.5V, 10V | 5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V | 40 V | 75 V | 60 V |
装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | TO-220-3 | 8-PowerVDFN | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
基本製品番号 | DMNH10 | DMNH45 | DMN7022 | DMN67 |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2245 pF @ 50 V | 4043 pF @ 20 V | 2737 pF @ 35 V | 22 pF @ 25 V |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 36 nC @ 10 V | 64.7 nC @ 10 V | 56.5 nC @ 10 V | 0.82 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
DMNH10H028SPS-13 - Diodes IncorporatedのDMNH10H028SPS-13 PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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