DMN32D4SDW-7の技術仕様
Diodes Incorporated - DMN32D4SDW-7技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DMN32D4SDW-7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.6V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-363 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 400mOhm @ 250mA, 10V | |
| 電力 - 最大 | 290mW | |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 50pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.3nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 650mA | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | DMN32 |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DMN32D4SDW-7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DMN32D4SDW-7 | DMN32D2LV-7 | DMN3401LDW-7 | DMN33D8LDW-7 |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 電力 - 最大 | 290mW | 400mW | 290mW (Ta) | 350mW |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.3nC @ 10V | - | 1.2nC @ 10V | 1.23nC @ 10V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.6V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.6V @ 250µA | 1.5V @ 100µA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 50pF @ 15V | 39pF @ 3V | 50pF @ 15V | 48pF @ 5V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-363 | SOT-563 | SOT-363 | SOT-363 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | DMN32 | DMN32 | DMN3401 | DMN33 |
| FET特長 | - | Logic Level Gate | - | - |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SOT-563, SOT-666 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 30V | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 650mA | 400mA | 800mA (Ta) | 250mA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 400mOhm @ 250mA, 10V | 1.2Ohm @ 100mA, 4V | 400mOhm @ 590mA, 10V | 2.4Ohm @ 250mA, 10V |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
DMN32D4SDW-7 - Diodes IncorporatedのDMN32D4SDW-7 PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
DMN32D2LFB4-7-HNDiodes IncorporatedDMN3300U-7 MOSDiodes IncorporatedDMN3300U-7-FDiodes Incorporated
DMN33D8LT-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 115MA SOT523DMN32D2LV-7 MOSDiodes IncorporatedDMN32D2LFB4-7 MOSDiodes IncorporatedDMN32D2LV-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563DMN32D2LV-7-HNDiodes IncorporatedDMN32D2LFB4-7BDiodes IncorporatedDMN3401LDW-7Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363DMN33D8LDW-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 0.25A
DMN32D2LFB4-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
DMN3404L-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3DMN32D2LFB4-7-01Diodes IncorporatedDMN33D8LT-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 115MA SOT523DMN32D2LFB4-7-55Diodes IncorporatedDMN32D2LFB4-7B-55Diodes IncorporatedDMN3300U-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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