DMN3035LWN-7の技術仕様
Diodes Incorporated - DMN3035LWN-7技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DMN3035LWN-7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | V-DFN3020-8 (Type N) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 4.8A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 770mW | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 399pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.9nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.5A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | DMN3035 |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DMN3035LWN-7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DMN3035LWN-7 | DMN3033LSD-13 | DMN3032LFDB-7 | DMN3032LFDBQ-13 |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.5A | 6.9A | 6.2A | 6.2A (Ta) |
| 基本製品番号 | DMN3035 | DMN3033 | DMN3032 | DMN3032 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 4.8A, 10V | 20mOhm @ 6.9A, 10V | 30mOhm @ 5.8A, 10V | 30mOhm @ 5.8A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | 2.1V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 6-UDFN Exposed Pad | 6-UDFN Exposed Pad |
| サプライヤデバイスパッケージ | V-DFN3020-8 (Type N) | 8-SO | U-DFN2020-6 (Type B) | U-DFN2020-6 (Type B) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 399pF @ 15V | 725pF @ 15V | 500pF @ 15V | 500pF @ 15V |
| 電力 - 最大 | 770mW | 2W | 1W | 1W |
| FET特長 | - | Logic Level Gate | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.9nC @ 10V | 13nC @ 10V | 10.6nC @ 10V | 10.6nC @ 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 30V | 30V |
| シリーズ | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
DMN3035LWN-7 - Diodes IncorporatedのDMN3035LWN-7 PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
DMN3033LSN-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 6A SC59-3DMN3033LSDDiodes IncorporatedDMN3033LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOICDMN3032LFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
DMN3042L-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23DMN3042LDIO/SKSEMIDMN3032LFDBQ-13Diodes IncorporatedMOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020DMN3050S-7-FDiodes IncorporatedDMN3042LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 7A 6UDFNDMN3032LE-13 MOSDiodes IncorporatedDMN3050S-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3DMN3033LDM-7 MOSDiodes IncorporatedDMN3033LSN-7 MOSDiodes IncorporatedDMN3041LSN-7Diodes IncorporatedDMN3051L-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
DMN3033LDM-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26DMN3042L-7 MOSDiodes IncorporatedDMN3033LSD-13 MOSDiodes Incorporated| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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