DMN2050LFDB-7の技術仕様
Diodes Incorporated - DMN2050LFDB-7技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DMN2050LFDB-7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | U-DFN2020-6 (Type B) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 45mOhm @ 5A, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 730mW | |
| パッケージ/ケース | 6-UDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 389pF @ 10V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.3A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | DMN2050 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DMN2050LFDB-7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DMN2050LFDB-7 | DMN2041LSD-13 | DMN2041LSD | DMN2053UW-7 |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | VBSEMI | Diodes Incorporated |
| 基本製品番号 | DMN2050 | DMN2041 | - | DMN2053 |
| サプライヤデバイスパッケージ | U-DFN2020-6 (Type B) | 8-SO | - | SOT-323 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 45mOhm @ 5A, 4.5V | 28mOhm @ 6A, 4.5V | - | 56mOhm @ 2A, 4.5V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 389pF @ 10V | 550pF @ 10V | - | 369 pF @ 10 V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | 6-UDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | SC-70, SOT-323 |
| 電力 - 最大 | 730mW | 1.16W | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12nC @ 10V | 15.6nC @ 10V | - | 3.6 nC @ 4.5 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 20V | - | 20 V |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.3A | 7.63A | - | 2.9A (Ta) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | - | 1V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
DMN2050LFDB-7 - Diodes IncorporatedのDMN2050LFDB-7 PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
DMN2041LSDVBSEMIDMN2053UW-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 2.9A SOT323DMN2058UW-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323DMN2053U-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 3DMN2050L-7 MOSDiodes IncorporatedDMN2056U-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3DMN2050L-7-FDiodes IncorporatedDMN2041LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SODMN2050L-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3DMN2058U-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3DMN2058U-7 MOSDiodes IncorporatedDMN2050LQ-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23DMN2050LDM-7Diodes IncorporatedDMN2065UWDiodes Incorporated
DMN2044UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4DMN2056L-7Diodes IncorporatedDMN2041LSD-13-FDiodes IncorporatedDMN2046U-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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