DMN2008LFU-7の技術仕様
Diodes Incorporated - DMN2008LFU-7技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DMN2008LFU-7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250A | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | U-DFN2030-6 (Type B) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 1W | |
| パッケージ/ケース | 6-UFDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1418pF @ 10V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 42.3nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14.5A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | |
| 基本製品番号 | DMN2008 |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DMN2008LFU-7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DMN2008LFU-7 | DMN2011UFX-7 | DMN2012UCA6-7 | DMN2013UFX-7 |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 20V | 24V | 20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V | 9.5mOhm @ 10A, 4.5V | 9mOhm @ 5A, 4.5V | 11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | U-DFN2030-6 (Type B) | V-DFN2050-4 | X3-DSN2718-6 | W-DFN5020-6 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 42.3nC @ 10V | 56nC @ 10V | 26nC @ 4V | 57.4nC @ 8V |
| パッケージ/ケース | 6-UFDFN Exposed Pad | 4-VFDFN Exposed Pad | 6-SMD, No Lead | 6-VFDFN Exposed Pad |
| 電力 - 最大 | 1W | 2.1W | 820mW | 2.14W |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250A | 1V @ 250µA | 1.3V @ 1mA | 1.1V @ 250µA |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | DMN2008 | DMN2011 | DMN2012 | DMN2013 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14.5A | 12.2A (Ta) | 13A (Ta) | 10A (Ta) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1418pF @ 10V | 2248pF @ 10V | 2417pF @ 10V | 2607pF @ 10V |
DMN2008LFU-7 - Diodes IncorporatedのDMN2008LFU-7 PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
DMN2005UFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333DMN2005K-7 MOSDiodes IncorporatedDMN2011UFX-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4DMN2005LP4K-7BDiodes IncorporatedDMN2009LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 12A 8SOPDMN2005UPS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060DMN2005UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
DMN2005LP4K-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 200MA 3DFNDMN2012UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 8V-24V X3-DSN2718-DMN2013UFX-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFNDMN2013UFDEQ-7Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6DMN2005UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333DMN2005K-7-FDiodes IncorporatedDMN2011UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
DMN2011UTS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP
DMN2005LPK-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 440MA 3DFNDMN2013UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFNDMN2014LHAB-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。