DMN2005K-7の技術仕様
Diodes Incorporated - DMN2005K-7技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DMN2005K-7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 900mV @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±10V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V | |
| 電力消費（最大） | 350mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 2.7V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 300mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | DMN2005 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DMN2005K-7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DMN2005K-7 | DMN2005UPS-13 | DMN2004WK-7 | DMN2005LPK-7 |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 900mV @ 100µA | 1.2V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1.2V @ 100µA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| シリーズ | - | - | Automotive, AEC-Q101 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 2.7V | 2.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.5V, 4V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 350mW (Ta) | 1.5W (Ta) | 200mW (Ta) | 450mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 8-PowerTDFN | SC-70, SOT-323 | 3-UFDFN |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V | 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V | 550mOhm @ 540mA, 4.5V | 1.5Ohm @ 10mA, 4V |
| 運転温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 | PowerDI5060-8 | SOT-323 | X1-DFN1006-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 300mA (Ta) | 20A (Ta), 100A (Tc) | 540mA (Ta) | 440mA (Ta) |
| Vgs（最大） | ±10V | ±12V | ±8V | ±10V |
| 基本製品番号 | DMN2005 | DMN2005 | DMN2004 | DMN2005 |
DMN2005K-7 - Diodes IncorporatedのDMN2005K-7 PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
DMN2005KDiodes Incorporated
DMN2004VK-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
DMN2004VKVBSEMIDMN2004VK-7 MOSDiodes IncorporatedDMN2005UPS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
DMN2005DLP4K-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFNDMN2005K-7 MOSDiodes IncorporatedDMN2004WK-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 540MA SOT323DMN2005LPK-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 440MA 3DFNDMN2005LP4K-7BDiodes IncorporatedDMN2005UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333DMN2005K-7-FDiodes IncorporatedDMN2005UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333DMN2005UFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333DMN2004VK-7-GDiodes IncorporatedDMN2004WKQ-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
DMN2005LP4K-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 200MA 3DFNDMN2004WK-7-FDiodes Incorporated| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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