DMN13H750S-7の技術仕様
Diodes Incorporated - DMN13H750S-7技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DMN13H750S-7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 750mOhm @ 2A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 770mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 231 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.6 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 130 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1A (Ta) | |
| 基本製品番号 | DMN13 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DMN13H750S-7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DMN13H750S-7 | DMN1150UFB-7B | DMN15H310SE-13 | DMN10H220LVT-7 |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 | X1-DFN1006-3 | SOT-223-3 | TSOT-26 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 750mOhm @ 2A, 10V | 150mOhm @ 1A, 4.5V | 310mOhm @ 1.5A, 10V | 220mOhm @ 1.6A, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±6V | ±20V | ±16V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.6 nC @ 10 V | 1.5 nC @ 4.5 V | 8.7 nC @ 10 V | 8.3 nC @ 10 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3-UFDFN | TO-261-4, TO-261AA | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| シリーズ | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 130 V | 12 V | 150 V | 100 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 231 pF @ 25 V | 106 pF @ 10 V | 405 pF @ 25 V | 401 pF @ 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1A (Ta) | 1.41A (Ta) | 2A (Ta), 7.1A (Tc) | 1.87A (Ta) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | 1.8V, 4.5V | 5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 電力消費（最大） | 770mW (Ta) | 500mW (Ta) | 1.9W (Ta) | 1.67W (Ta) |
| 基本製品番号 | DMN13 | DMN1150 | DMN15 | DMN10 |
DMN13H750S-7 - Diodes IncorporatedのDMN13H750S-7 PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
DMN1150UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFNDMN1250UFEL-7Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1
DMN2004DMK-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26DMN15H310SE-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223DMN10H220LVT-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26DMN10H99SFG-7Diodes Incorporated
DMN1150UFL3-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310
DMN2004DWKDIO/SKSEMI
DMN1260UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 12V 500MA 3DFNDMN1150UFB-7B MOSDiodes IncorporatedDMN10H700SMSVDMN2004K-7 MOSDiodes IncorporatedDMN2004K-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3DMN2004DWK-7 MOSDiodes Incorporated
DMN2004DWK-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363DMN2004DWK-7-FDiodes IncorporatedDMN10H700S-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 700MA SOT23DMN2004DWKQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。