DMN1032UCB4-7の技術仕様
Diodes Incorporated - DMN1032UCB4-7技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DMN1032UCB4-7仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Diodes Incorporated | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.2V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±8V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | U-WLB1010-4 | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 26mOhm @ 1A, 4.5V | |
電力消費(最大) | 900mW (Ta) | |
パッケージ/ケース | 4-UFBGA, WLBGA | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 450 pF @ 6 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4.5 nC @ 4.5 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 12 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.8A (Ta) | |
基本製品番号 | DMN1032 |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DMN1032UCB4-7と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | DMN1032UCB4-7 | DMN10H099SK3-13 | DMN1019USN-7 | DMN10H099SFG-13 |
メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
Vgs(最大) | ±8V | ±20V | ±8V | ±20V |
電力消費(最大) | 900mW (Ta) | 34W (Tc) | 680mW (Ta) | 980mW (Ta) |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4.5 nC @ 4.5 V | 25.2 nC @ 10 V | 50.6 nC @ 8 V | 25.2 nC @ 10 V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 12 V | 100 V | 12 V | 100 V |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.8A (Ta) | 17A (Tc) | 9.3A (Ta) | 4.2A (Ta) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V | 6V, 10V | 1.2V, 2.5V | 6V, 10V |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 26mOhm @ 1A, 4.5V | 80mOhm @ 3.3A, 10V | 10mOhm @ 9.7A, 4.5V | 80mOhm @ 3.3A, 10V |
FET特長 | - | - | - | - |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.2V @ 250µA | 3V @ 250µA | 800mV @ 250µA | 3V @ 250µA |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 450 pF @ 6 V | 1172 pF @ 50 V | 2426 pF @ 10 V | 1172 pF @ 50 V |
パッケージ/ケース | 4-UFBGA, WLBGA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 8-PowerVDFN |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
シリーズ | - | - | - | - |
基本製品番号 | DMN1032 | DMN10 | DMN1019 | DMN10 |
サプライヤデバイスパッケージ | U-WLB1010-4 | TO-252-3 | SC-59-3 | PowerDI3333-8 |
DMN1032UCB4-7 - Diodes IncorporatedのDMN1032UCB4-7 PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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