DMG6301UDW-13の技術仕様
Diodes Incorporated - DMG6301UDW-13技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DMG6301UDW-13仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-363 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4Ohm @ 400mA, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 300mW | |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 27.9pF @ 10V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.36nC @ 4.5V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 240mA | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | DMG6301 |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DMG6301UDW-13と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DMG6301UDW-13 | DMG5802LFX-7 | DMG6301UDW-7 | DMG6601LVT-7 |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 電力 - 最大 | 300mW | 980mW | 300mW | 850mW |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-363 | W-DFN5020-6 | SOT-363 | TSOT-26 |
| FET特長 | - | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 240mA | 6.5A | 240mA | 3.8A, 2.5A |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25V | 24V | 25V | 30V |
| 基本製品番号 | DMG6301 | DMG5802 | DMG6301 | DMG6601 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.36nC @ 4.5V | 31.3nC @ 10V | 0.36nC @ 4.5V | 12.3nC @ 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 27.9pF @ 10V | 1066.4pF @ 15V | 27.9pF @ 10V | 422pF @ 15V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4Ohm @ 400mA, 4.5V | 15mOhm @ 6.5A, 4.5V | 4Ohm @ 400mA, 4.5V | 55mOhm @ 3.4A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-VFDFN Exposed Pad | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
DMG6301UDW-13 - Diodes IncorporatedのDMG6301UDW-13 PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
DMG504010RPanasonic Electronic ComponentsTRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6DMG5640N0RPanasonic Electronic ComponentsTRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6
DMG6402LDM-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
DMG4N65CTIDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
DMG564020RINTERNALDMG4N60SJ3Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 600V 3A TO251DMG6402LDMDiodes IncorporatedDMG5802LFX-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFNDMG6301UDW-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363DMG6601LVT-7Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
DMG4N60SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&RDMG6402LDM-7-FDiodes IncorporatedDMG6402LVT-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 6A TSOT26DMG6402LVTDiodes IncorporatedDMG564010RPanasonic Electronic ComponentsTRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6DMG6402LVT-7 MOSDiodes IncorporatedDMG5802LFX-7 MOSDiodes Incorporated
DMG5802LFXSemtech| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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