DMG1016UDWQ-7の技術仕様
Diodes Incorporated - DMG1016UDWQ-7技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DMG1016UDWQ-7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-363 | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 330mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.066A (Ta), 845mA (Ta) | |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel Complementary | |
| 基本製品番号 | DMG1016 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DMG1016UDWQ-7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DMG1016UDWQ-7 | DMG1016UDW-7 | DMG1024UV-7 | DMG1026UV-7 |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 電力 - 最大 | 330mW (Ta) | 330mW | 530mW | 580mW |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V | 450mOhm @ 600mA, 4.5V | 450mOhm @ 600mA, 4.5V | 1.8Ohm @ 500mA, 10V |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel Complementary | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | DMG1016 | DMG1016 | DMG1024 | DMG1026 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V | 60.67pF @ 10V | 60.67pF @ 16V | 32pF @ 25V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 20V | 20V | 60V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-363 | SOT-363 | SOT-563 | SOT-563 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V | 0.74nC @ 4.5V | 0.74nC @ 4.5V | 0.45nC @ 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.066A (Ta), 845mA (Ta) | 1.07A, 845mA | 1.38A | 410mA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1.8V @ 250µA |
| FET特長 | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
DMG1016UDWQ-7 - Diodes IncorporatedのDMG1016UDWQ-7 PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
DMG1013T-7DICT-NDTexas InstrumentsDMG1016UDW-7Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 20V SOT363
DMG1016V-7 MOSDiodes IncorporatedDMG1023UV-7-55Diodes IncorporatedDMG1016UDWDiodes IncorporatedDMG1024UV-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563DMG1026UV-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563
DMG1013UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 20V 820MA SOT323DMG1023UV-13Diodes IncorporatedDMG1023UV-7 MOSDiodes IncorporatedDMG1016V-7Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 20V SOT563DMG1013UWDiodes IncorporatedDMG1023UVQ-13Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563DMG1013UW-7 MOSDiodes IncorporatedDMG1023UV-7Diodes IncorporatedMOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563DMG1013T-7-FDiodes IncorporatedDMG1013TQ-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 20V 460MA SOT523DMG1013UW-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 20V 820MA SOT323| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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