DGD2104AS8-13の技術仕様
Diodes Incorporated - DGD2104AS8-13技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DGD2104AS8-13仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 電源電圧 - | 10V ~ 20V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 100ns, 50ns | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.5V | |
| 入力タイプ | Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 210mA, 360mA | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous | |
| 基本製品番号 | DGD2104 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 3 (168 Hours) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DGD2104AS8-13と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DGD2104AS8-13 | DGD2103S8-13 | DGD21084S14-13 | DGD21042S8-13 |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | 14-SO | 8-SO |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 210mA, 360mA | 290mA, 600mA | 200mA, 600mA | 290mA, 600mA |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous | Independent | Independent | Synchronous |
| 電源電圧 - | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V | 0.6V, 2.5V | 0.8V, 2.5V |
| 基本製品番号 | DGD2104 | DGD2103 | DGD21084 | DGD21042 |
| 入力周波数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動構成 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 100ns, 50ns | 100ns, 35ns | 100ns, 35ns | 70ns, 35ns |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 入力タイプ | Non-Inverting | Inverting, Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
DGD2104AS8-13 - Diodes IncorporatedのDGD2104AS8-13 PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
DGD2103S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD21084S14-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SODGD21042S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD2108S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD21064S14-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SODGD2005S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5KDGD2101S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD2118S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SODGD2101MS8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HI/LO-SIDE 8SO 2.5KDGD2103MS8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
DGD2110S16-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO
DGD2003S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD21032S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD2113S16-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SODGD21064MS14-13Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRIDG 14SO 2.5KDGD2103AS8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD2104S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD2117S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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