BSS8402DW-7-Fの技術仕様
Diodes Incorporated - BSS8402DW-7-F技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - BSS8402DW-7-F仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-363 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.5Ohm @ 50mA, 5V | |
| 電力 - 最大 | 200mW | |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 50pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V, 50V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 115mA, 130mA | |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | |
| 基本製品番号 | BSS8402 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated BSS8402DW-7-Fと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSS8402DW-7-F | BSS8402DW-7-G | BSS8402DWQ-7 | BSS8402DW-7 |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 115mA, 130mA | 115mA (Ta), 130mA (Ta) | 115mA, 130mA | 115mA, 130mA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.5Ohm @ 50mA, 5V | 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V | 13.5Ohm @ 500mA, 10V | 7.5Ohm @ 50mA, 5V |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | - | N and P-Channel | N and P-Channel |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-363 | SOT-363 | SOT-363 | SOT-363 |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | BSS8402 | - | BSS8402 | BSS8402 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V, 50V | 60V, 50V | 60V, 50V | 60V, 50V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 50pF @ 25V | 50pF @ 25V, 45pF @ 25V | 50pF @ 25V | 50pF @ 25V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力 - 最大 | 200mW | 200mW (Ta) | 200mW | 200mW |
| FET特長 | Logic Level Gate | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
BSS8402DW-7-F - Diodes IncorporatedのBSS8402DW-7-F PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
BSS8402DW-13-FDiodes Incorporated
BSS84AK,215Nexperia USA Inc.MOSFET P-CH 50V 180MA TO236ABBSS8402DW-7-GDiodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6BSS8402DWDiodes Incorporated
BSS84-R1-00001PJ
BSS84/DGFreescale / NXP Semiconductors
BSS84-7/BSS84Fairchild (onsemi)BSS84.215Freescale / NXP Semiconductors
BSS84AHZGT116Rohm SemiconductorPCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL SBSS84215Freescale / NXP SemiconductorsBSS8420DW-7-FDiodes IncorporatedBSS84AKNexperiaBSS84AK+215Freescale / NXP SemiconductorsBSS84-NLFairchild (onsemi)BSS8402DW-7-F MOSDiodes Incorporated
BSS84-TPMicro Commercial CoMOSFET P-CH 50V 130MA SOT23BSS8402DWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 60V/50VBSS8402DW-7Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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