1N4448HLP-7Bの技術仕様
Diodes Incorporated - 1N4448HLP-7B技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - 1N4448HLP-7B仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Diodes Incorporated | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | - | |
電圧 - 逆(VR)(最大) | - | |
サプライヤデバイスパッケージ | - | |
速度 | - | |
逆回復時間(trrの) | - | |
パッケージ/ケース | - |
製品属性 | 属性値 | |
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動作温度 - ジャンクション | - | |
装着タイプ | - | |
ダイオードタイプ | - | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | - | |
電流 - 平均整流(イオ) | - | |
Vrと、F @キャパシタンス | - |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated 1N4448HLP-7Bと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | 1N4448HLP-7B | 1N4448HWS-7-G | 1N4448 | 1N4448 |
メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Microchip Technology | Diotec Semiconductor |
Vrと、F @キャパシタンス | - | - | - | 4pF @ 0V, 1MHz |
速度 | - | - | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
電流 - 平均整流(イオ) | - | - | 200mA | 200mA |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | - | - | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 100 mA |
ダイオードタイプ | - | - | - | - |
逆回復時間(trrの) | - | - | 4 ns | 4 ns |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | - | - | 25 nA @ 20 V | 5 µA @ 75 V |
動作温度 - ジャンクション | - | - | -65°C ~ 150°C | -50°C ~ 175°C |
装着タイプ | - | - | Through Hole | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | - | - | DO-35 | DO-35 |
パッケージ/ケース | - | - | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
電圧 - 逆(VR)(最大) | - | - | 75 V | 75 V |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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