SPN02N60C3の技術仕様
Infineon Technologies - SPN02N60C3技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - SPN02N60C3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Infineon Technologies | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.9V @ 80µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223-4 | |
シリーズ | CoolMOS™ | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.5Ohm @ 1.1A, 10V | |
電力消費(最大) | 1.8W (Ta) | |
パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 200 pF @ 25 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 400mA (Ta) | |
基本製品番号 | SPN02N |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies SPN02N60C3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SPN02N60C3 | SPN01N60C3 | SPN02N60C3 E6433 | SPN04N60S5 |
メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.9V @ 80µA | 3.7V @ 250µA | 3.9V @ 80µA | 5.5V @ 200µA |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FET特長 | - | - | - | - |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223-4 | PG-SOT223-4 | PG-SOT223-4 | PG-SOT223-4 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 400mA (Ta) | 300mA (Ta) | 400mA (Ta) | 800mA (Ta) |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
基本製品番号 | SPN02N | SPN01N | SPN02N | SPN04N |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13 nC @ 10 V | 5 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | 10V | 10V | 10V |
パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V | 650 V | 650 V | 600 V |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 200 pF @ 25 V | 100 pF @ 25 V | 200 pF @ 25 V | 600 pF @ 25 V |
電力消費(最大) | 1.8W (Ta) | 1.8W (Ta) | 1.8W (Ta) | 1.8W (Ta) |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
シリーズ | CoolMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.5Ohm @ 1.1A, 10V | 6Ohm @ 500mA, 10V | 2.5Ohm @ 1.1A, 10V | 950mOhm @ 2.8A, 10V |
SPN02N60C3 - Infineon TechnologiesのSPN02N60C3 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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