SPB03N60S5の技術仕様
Infineon Technologies - SPB03N60S5技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - SPB03N60S5仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 135µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 | |
| シリーズ | CoolMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.4Ohm @ 2A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 38W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 420 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.2A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies SPB03N60S5と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SPB03N60S5 | SPB02N60S5ATMA1 | SPB03N60C3 | SPB02N60S5 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16 nC @ 10 V | 9.5 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 9.5 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 420 pF @ 25 V | 240 pF @ 25 V | 400 pF @ 25 V | 240 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3-2 |
| 電力消費（最大） | 38W (Tc) | 25W (Tc) | 38W (Tc) | 25W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | CoolMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.2A (Tc) | 1.8A (Tc) | 3.2A (Tc) | 1.8A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 135µA | 5.5V @ 80µA | 3.9V @ 135µA | 5.5V @ 80µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.4Ohm @ 2A, 10V | 3Ohm @ 1.1A, 10V | 1.4Ohm @ 2A, 10V | 3Ohm @ 1.1A, 10V |
SPB04N60C3 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
SPB05-1ROTDK CorporationIGBT Module
SPB-G56SVLSanken Electric Co., Ltd.SPB05-1R0SPUTIGBT ModuleSPB02N60S5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 1.8A TO263-3SPB04N60S5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPB03N60C3 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPB03N60C3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
SPB03A-12MEAN WELL USA Inc.DC DC CONVERTER 12V 3WSPB04N60C3 04N60C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPB02N60C2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPB02N60S5Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPB03N60S5 03N60S5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPB02N60C3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPB03A-15MEAN WELL USA Inc.DC DC CONVERTER 15V 3WSPB04N60C3INDKRCypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPB02N60C3 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPB04N60C3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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