SI4435DYTRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - SI4435DYTRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - SI4435DYTRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20mOhm @ 8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2320 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SI4435 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies SI4435DYTRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI4435DYTRPBF | SI4435FDY-T1-GE3 | SI4436DY-T1-GE3 | SI4435DY |
| メーカー | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | onsemi |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 60 V | 30 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60 nC @ 10 V | 42 nC @ 10 V | 32 nC @ 10 V | 24 nC @ 5 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | 4.8W (Tc) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) | 2.5W (Ta) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) | 12.6A (Tc) | 8A (Tc) | 8.8A (Ta) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20mOhm @ 8A, 10V | 19mOhm @ 9A, 10V | 36mOhm @ 4.6A, 10V | 20mOhm @ 8.8A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 基本製品番号 | SI4435 | SI4435 | SI4436 | SI4435 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2320 pF @ 15 V | 1500 pF @ 15 V | 1100 pF @ 30 V | 1604 pF @ 15 V |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| シリーズ | HEXFET® | TrenchFET® Gen III | TrenchFET® | PowerTrench® |
SI4435DYTRPBF - Infineon TechnologiesのSI4435DYTRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
SI4435DY-TI-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4436DY-TI-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay
SI4435DYTRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)SI4435DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4435DY-T1-A-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4436DY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4435FDYElectro-Films (EFI) / Vishay
SI4436DYVISSI4435FDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOICSI4435DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI4436DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 8A 8SOSI4435DY-T1-E3.Electro-Films (EFI) / VishaySI4435DYonsemiMOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOICSI4435DYTRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 8A 8SOSI4435DY-T1-REVAElectro-Films (EFI) / VishaySI4435DY-TRIRSI4435DY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4436DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 8A 8SO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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