SDT10S30の技術仕様
Infineon Technologies - SDT10S30技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - SDT10S30仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7 V @ 10 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 300 V | |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-2-2 | |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| シリーズ | CoolSiC™+ | |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-220-2 | |
| パッケージ | Tube | |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 200 µA @ 300 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 10A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 600pF @ 0V, 1MHz | |
| 基本製品番号 | SDT10S |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies SDT10S30と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SDT10S30 | SDT12S60 | SDT10A100P5-7 | SDT10A45P5-13 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| パッケージ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Vrと、F @キャパシタンス | 600pF @ 0V, 1MHz | 450pF @ 1V, 1MHz | - | - |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 基本製品番号 | SDT10S | SDT12S | SDT10 | SDT10 |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7 V @ 10 A | 1.7 V @ 12 A | 680 mV @ 10 A | 470 mV @ 10 A |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 | TO-220-2 | PowerDI™ 5 | PowerDI™ 5 |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 10A | 12A | 10A | 10A |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 200 µA @ 300 V | 400 µA @ 600 V | 100 µA @ 100 V | 300 µA @ 45 V |
| シリーズ | CoolSiC™+ | CoolSiC™+ | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-2-2 | PG-TO220-2-2 | PowerDI™ 5 | PowerDI™ 5 |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 300 V | 600 V | 100 V | 45 V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Schottky | Schottky |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns | 0 ns | - | - |
SDT10S30 - Infineon TechnologiesのSDT10S30 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
SDT100GK18SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT100GK16SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT12DAUKSDT116GK18SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT116GK08SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT12S60Infineon TechnologiesDIODE SIL CARB 600V 12A TO220-2
SDT10A100CTDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 100V 5A TO220AB
SDT10100CTFPDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTT 100V TO220ABSDT10A100P5-7Diodes IncorporatedDIODE SCHOTKY 100V 10A PDI5 1.5KSDT10A45P5Diodes IncorporatedSDT116GK12SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT10A45P5-13Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 45V 10A POWERDI5SDT100GK20SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT12SAUKSDT10A100CDiodes IncorporatedSDT12SFAUKSDT10100CTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOT 100V TO220ABSDT116GK14SIRECTIFIERIGBT Module| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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