IRS21864PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRS21864PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRS21864PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電源電圧 - | 10V ~ 20V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 14-DIP | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 22ns, 18ns | |
| パッケージ/ケース | 14-DIP (0.300', 7.62mm) | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.5V | |
| 入力タイプ | Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | High-Side or Low-Side | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 4A, 4A | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | |
| 基本製品番号 | IRS21864 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRS21864PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRS21864PBF | IRS21858STRPBF | IRS21864SPBF | IRS21851STRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 入力周波数 | 2 | 2 | 2 | 1 |
| パッケージ/ケース | 14-DIP (0.300', 7.62mm) | 16-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | IRS21864 | IRS21858 | IRS21864 | IRS21851 |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | Independent | Independent | Single |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 14-DIP | 16-SOIC | 14-SOIC | 8-SOIC |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 4A, 4A | 290mA, 600mA | 4A, 4A | 4A, 4A |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 22ns, 18ns | 60ns, 20ns | 22ns, 18ns | 15ns, 15ns |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 3.5V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力タイプ | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| 駆動構成 | High-Side or Low-Side | High-Side | High-Side or Low-Side | High-Side |
| 電源電圧 - | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
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IRS21856SIRIRS21858STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOICIRS21864SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOICIRS21851STRPBF.IRIRS21851STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIRS21867STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIRS2186IRIRS21856STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
IRS2186PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIPIRS2186SIRIRS21867SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IRS21864STRPBFXUMA1Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRS21856SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICIRS21858SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOICIRS21864STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOICIRS21851SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIRS2186SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIRS21864SIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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